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氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器的條件下，產生紫光（405nm）激光。
產品規格 | |
產品名稱/英文名稱 | 氮化鎵/Gallium nitride |
純度 | 99.99%（4N），99.999%（5N） |
熔點 | 800℃ |
規格 | 120目 |
CAS登錄號 | 25617-97-4 |
表觀（顏色/形態） | 微黃色或灰色粉末 |
化學式 | GaN |
原子量 | 83.7297 |
常見用途 | 廣泛作為半導體材料和熒光粉，蒸鍍料，氮化鎵靶材行業，氮化鎵充電器源料，可以用在紫光的激光二極管。 是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料 |
產品包裝 | 1kg/瓶 |
產品展示 |
