氧化鎵，突破西方封鎖還靠這幾家企業？

2023-01-31 17:35:07

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氧化鎵半導體網上都通俗地叫第四代半導體，但正確的應該叫超寬禁帶材料。

氧化鎵（Ga2O3）是一種無機化合物，Ga2O3 有五種同分異構體：α，β，γ，δ，ε。這些同分異構體中，其中Z穩定的是β-異構體，當加熱至1000℃以上或水熱條件（即濕法）加熱至300℃以上時，所有其他的異構體都被轉換為β-異構體?？刹捎酶髯圆煌姆椒ㄖ频酶鞣N純的異構體。

氧化鎵獨特魅力一：超寬禁帶。

氧化鎵

氧化鎵與碳化硅、氮化鎵相比，氧化鎵基功率器件具備高耐壓、低損耗、高效率、小尺寸等特點，例如:同等耐壓情況下，對比起碳化硅基器件的損耗，氧化鎵基要降低86%，尺寸僅為碳化硅基的1/5左右。

作為新一代半導體材料的氧化鎵（Ga2O3），是繼第三代半導體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）之后Z具市場潛力的材料。我國內超2/3的半導體產品依賴進口，氧化鎵的出現，是國內市場的一次機遇，有望擊碎“卡脖子”的現況。為此，今年我國科技部將氧化鎵列入“十四五重點研發計劃”，讓第四代半導體獲得更廣泛關注。

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