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氧化鎵(III)，即三氧化二鎵，是鎵的氧化物中Z穩定的。在空氣中加熱金屬鎵使之氧化或在200-250℃時焙燒硝酸鎵、氫氧化鎵以及某些鎵的化合物都可形成Ga2O3. Ga2O3 有五種同分異構體：α，β，γ，δ，ε，其中Z穩定的是β-異構體，當加熱至1000℃以上或水熱條件（即濕法）加熱至300℃以上時，所有其他的異構體都被轉換為β-異構體。可采用各自不同的方法制得各種純的異構體。
氧化鎵（GaO）——性能遠超氮化鎵的下一代半導體材料新星
美國政府在針對中國的Z新舉措中，Z近又對一種Z早由日本開發的下一代半導體材料實施了出口管制——氧化鎵（GaO）。
在8月12日，美國商務部工業和安全局(BIS)發布了一項Z新裁決，將氧化鎵（GaO）半導體基片——確定為“對美國國家安全至關重要的”的“新興和基礎”技術，這是美國全面實施衍生技術制裁的一部分氧化鎵（GaO）——是21世紀Z有潛力的半導體材料之一，主要用于制造電動汽車、電子產品和軍事等應用中的超高效功率器件。值得一提的是，美國國防部(US Department of Defense)是該領域ling先美國公司的主要投資者之一。
正如參與氧化鎵（GaO）商業化的日本公司大陽日酸株式會社（Taiyo Nippon Sanso）所解釋的那樣：“從理論層面分析，氮化鎵作為功率器件的性能遠遠優于硅，也超過了碳化硅和氮化鎵，使其成為下一種Z為YOU秀的半導體材料。”
