瞄準氧化鎵未來！！

除了Si功率器件和大熱的第三代半導體之外 業界也開始對氧化鎵(Ga2O3 )投入了興趣關于氧化鎵此前也有不少關于技術方面的報道《潛力無限的氧化鎵》 氧化鎵被視為是更新一代的半導體材料 它比起以往的電子元件更有效率 在晶圓價格方面也比SiC 等要更為低廉 據Fact.MR的研究 與2020年相比 預計2030年全球氧化鎵市場的價值將增加 2.8倍 其中5N級（氧化鎵市場等級有4N 5N 6N）產品占據全球氧化鎵市場近66%的份額。

據日本氧化鎵企業Novel Crystal Technology（NCT）的介紹 β-氧化鎵是一種新型的半導體功率器件材料 具有比SiC和GaN更大的帶隙能量 因此 很有可能被用于制造高電壓低電阻的半導體 此外 由于它是從熔體中生長β-氧化鎵單晶 與SiC和GaN相比 它的生長速度較快 而且其substrate process也叫容易 所以可以以低成本向市場提供高質量的基材。

在 氧 化 鎵 方 面 的 研 究 日 本 相 對 較 領 先 其 中 Tamura Corporation, Novel CrystalTechnology, 和Kyma Technologies是比較領先的氧化鎵供應商 2012年日本首先實現2英寸現量產國內方面 氧化鎵自2017年開始逐步成為中國的熱點 2017年9月份 科技部高新司重點研發計劃把氧化鎵列入其中 2018年3月 北京市科委率先開展了前沿新材料的研究 把氧化鎵列為重點項目。

韓國政府在今年4月1日發布了先進功率半導體研發和產能提升計劃 韓國政府計劃到 2025年將市場競爭力提升到全球水平 到那時至少可以從韓國獲得五種先進的功率半導體產品將針對SiC GaN 氧化鎵三種材料開展應用技術和技術攻關 突破有機硅材料的局限性助力國內企業的材料和晶圓研發工作

結語

可喜的是 無論是IGBT MOSFET 還是SiC以及GaN 甚至是現在超前的氧化鎵領域中國都有廠商布局 并且正在不斷研發和生產 開始慢慢取得一席之地。