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氧化鎵材料的優勢：
后摩爾時代，具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出，將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本。而超寬禁帶的禁帶寬度，決定了耐壓值、損耗、功率、頻率，以及使用等方面，超寬禁帶材料相對于硅基和第三代半導體材料都有優勢。
第四代半導體比較典型的材料有氧化鎵、金剛石等。據張杰教授透露，北歐對氧化鎵材料進行了長時間的研究工作。氧化鎵半導體材料，是目前國際上普遍關注和認可的下一代超寬禁帶代表性材料。
目前，對第四代半導體材料的研究和發展，已經進入了國際研究視野。與第三代半導體材料相比，第四代半導體材料在耐壓性能、頻率性能上又有一些新的提升。而且根據國際上著名出版集團每年對相關研究主題進行論文的學術統計，氧化鎵的研究工作進入科睿唯安2021研究前沿物理類，已經得到了研究上的推進。
另外一個氧化鎵材料應用，是利用它的超寬禁帶的屬性制作的光電子器件。也就是主要用于日盲光電器件，即紫外區域，波長短，禁帶寬。由于日盲紫外技術在紅外紫外雙色制導、導彈識別跟蹤、艦載通信等國防領域具有重大戰略意義。
