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氧化鎵是三氧化二鎵（Ga2O3）的常用名稱。這是一種白色粉末，棒狀晶體，晶形以β相為主。三氧化二鎵（Ga2O3）的棒狀顆粒可團聚成較大的次級粒子。三氧化二鎵被用于熒光粉、燃料電池的固體氧化物陰極、壓電晶體、GGG晶體（釓鎵石榴石），以及近年來流行的GIZO或者IGZO材料的濺射靶材。這些濺射靶材由鎵、銦、鋅和氧化物組成。平板組件行業新的OLED顯示器中，GIZO及IGZO是非常流行的材料，因為它為控制顯示像素的薄膜晶體管提供優異的移動率。
氧化鎵材料潛力：
氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。同時通過熔體法（生長藍寶石襯底的方法）可以獲得低缺陷密度（103~104 cm-2）的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。
