氫氧化銦的制備方法介紹

2021-07-06 10:03:41

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氫氧化銦可用于制取銦的氧化物，作為半導體材料，太陽能電池，液晶顯示材料，低汞和無汞堿性電池的添加劑等。氫氧化銦（In(OH)3）屬于銦的延伸產品，氫氧化銦是制造氧化銦或含氧化銦的化合物粉末的前軀體，可用于制造形成ITO膜(以銦-錫為主成分的復合氧化物)的濺射用ITO靶材。

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ITO膜是廣泛應用于太陽能電池和液晶顯示器為主的顯示設備的透明電極膜。隨著全球數字化技術的迅速發展，當今光電設備逐漸向著個人化、平面顯示的超大型和異形化的方向發展，濺射靶材等透明導電膜的需求量顯著增加，氫氧化銦作為透明導電膜形成用主要原料的前軀體，其需求量也隨之顯著增加。

常用的制備In(OH)3的方法有化學氣相沉積法、溶膠-凝膠法、水熱/溶劑熱法、熱分解法、模板法、微乳液法等。隨著對氫氧化銦半導體深入研究以及人們對其性能的不斷更新與需求，還涌現出很多新型的制備方法，如靜電紡絲法、等離子合成法、電解法等。

但是，以上這些方法大都存在合成工藝步驟多、工藝參數多難以控制，對設備要求高等缺點導致生產周期長。例如，化學氣相沉積法需要在高溫高壓或者真空狀態中進行，對設備要求較高，而且產量較低，難以實現工業生產；水熱/溶劑熱法需要在高溫高壓下反應，高溫高壓以及部分易腐蝕物質會對反應釜襯層有一定的磨損，與此同時水熱合成法的生長溫度有一定的限制。

目前納米氫氧化銦的制備技術都存在一定的技術優勢及缺陷，要想獲得生產成本低、產品純度高、雜質含量低、粒度分布均勻、更符合客戶需求的納米氫氧化銦，必須結合上述工藝的優點，攻克技術難題。