氧化鎵作為第三代半導體的優點有哪些？

2021-01-23 16:03:29

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氧化鎵作為第三代半導體的優點有哪些？

前段時間，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。但是，SiC和GaN并不是終點。

氧化鎵

zui近，氧化鎵（Ga2O3）再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg＝4．9eV，其導電性能和發光特性良好。

因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。β－Ga2O3的主要優勢在于禁帶寬度，但也存在著不足，主要表現在遷移率和導熱率低，特別是導熱性能是其主要短板。不過，相對來說，這些缺點對功率器件的特性不會有太大的影響，這是因為功率器件的性能主要取決于擊穿電場強度。

未來，氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統可用的功率和電壓范圍方面發揮作用。而*有希望的應用可能是電力調節和配電系統中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統。但是，在成為電力電子產品的主要競爭者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發和推進工作，以克服自身的不足。