目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。氧化鎵特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氧化鎵價格這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

三氧化二鉍純品有α型和β型。α型為黃色單斜晶系結晶，相對密度8.9，熔點825 ℃，溶于酸，不溶于水和堿。氧化鎵β型為亮黃色至橙色，正方晶系，相對密度8.55，熔點860 ℃，溶于酸，不溶于水。容易被氫氣、烴類等還原為金屬鉍。氧化鉍用于制備鉍鹽；用作電子陶瓷粉體材料、電解質材料、光電材料、高溫超導材料、催化劑。哪里有氧化鎵氧化鉍作為電子陶瓷粉體材料中的重要添加劑，純度一般要求在99.15%以上，主要應用對象有氧化鋅壓敏電阻、陶瓷電容、鐵氧體磁性材料三類；以及釉藥橡膠配合劑、醫藥、紅色玻璃配合劑等方面。

氧化鍺，具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發展超過重要作用。氧化鎵鍺的熔密度5.32克/厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質穩定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。齊齊哈爾氧化鎵鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等等。

于從含鈧礦物中直接提取鈧制品較困難，因而目前主要從處理含鈧礦物的副產物如廢渣、廢水、煙塵、赤泥中回收和提取氧化鈧，再以高純氧化鈧制備金屬鈧、鈧鋁中間合金、鈧鹽等鈧產品。氧化鎵據新思界產業研究中心發布的《2019-2023年中國鈧產品行業市場供需現狀及發展趨勢預測報告 》。哪里有氧化鎵價格目前從工業廢液中直接提取鈧的工藝主要有三種：溶劑萃取法、化學沉淀法、離子交換法。