氧化鈧的化學式為Sc2O3。性質:白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結構。密度3.864.熔點2403℃±20℃。不溶于水,溶于熱酸中。金屬鎵由鈧鹽熱分解制得。可用作半導體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產品具有獨特的物化性質,故在20世紀80年代以來,在許多高新技術和工業部門中獲得了較好的應用發展。高純金屬鎵粉末目前我國及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領域的應用狀況敘述于后。
氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料,具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性,在光電領域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應用。金屬鎵而氧化銦顆粒尺寸達納米級別時除具有以上功能外,還具備了納米材料的表面效應、量子尺寸效應、小尺寸效應和宏觀量子隧道效應等。高純金屬鎵分子式:In2O3,分子量277.62。用途:主要應用于生產液晶顯示儀ITO和高能堿性電池鋅粉及熒光材料等方面。規格:氧化銦為黃色粉末狀。氧化銦每瓶重1000g±10g。化學成分:(Q指企業標準)
鎵的市場小,很容易受外界的影響,中鋁河南、遵義工廠的開工使鎵的供應增加,市場對后市供應可能會再度過剩的恐慌情緒對價格產生影響,造成鎵的價格難以維持平穩,鎵的進行價格調整期。金屬鎵需要指出的是,目前鎵的價格已經接近生產成本線,后續鎵的生產將進入虧本經營,鎵市場降價趨勢的過早來臨改變了本年度下游對市場的預期,2017年的最后一個多月,鎵市場將會進入煎熬的調整期。金屬鎵粉末下周鎵的市場預期仍不被看好,將穩中有降低。
氧化鎵(β-Ga2O3)作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料,其禁帶寬度約為4.8 eV,理論擊穿場強為8 MV/cm,電子遷移率為300 cm2/Vs,因此β-Ga2O3具有4倍于GaN,10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。金屬鎵同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底,使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展,全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。遼陽金屬鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下,導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失,因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。