用途：用于制鍺，也用于電子工業。用作半導體材料。納米氧化鎵用作金屬鍺和其他鍺化合物的制取原料、制取聚對苯二甲酸乙二酯樹脂時的催化劑以及光譜分析和半導體材料。可以制造光學玻璃熒光粉，可作為催化劑用于石油提煉時轉化、去氫、汽油餾份的調整、彩色膠卷及聚脂纖維生產。納米氧化鎵廠家不但如此，二氧化鍺還是聚合反應的催化劑，含二氧化鍺的玻璃有較高的折射率和色散性能，可作廣角照相機和顯微鏡鏡頭，隨著技術的發展，二氧化鍺被廣泛用于制作高純金屬鍺、鍺化合物、化工催化劑及醫藥工業，PET樹脂、電子器件等。

氟化鎵:白色結晶粉末。六方晶結構。納米氧化鎵易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英，晶體結構為離子晶體。物化性質:白色結晶粉末。六方晶結構。密度4.47g/cm3。熔點約1000℃。在氮氣流中約800℃下升華而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氫氟酸中。由六氟鎵酸銨熱分解制取。三水合物易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英。高純納米氧化鎵廠家氟化鎵是一種無機化合物。這種白色固體的熔點超過1000°C，但是在950°C左右就會升華。它具有FeF3型結構，鎵原子為6配位。

鋁合金中添加微量鈧可以大幅提升鋁合金的強度、塑韌性、耐高溫性能、耐腐蝕性能、焊接性能和抗中子輻照損傷性能。興安盟納米氧化鎵已作為結構材料用于航天、航空、核反應堆等領域，在艦船、高鐵列車、輕型汽車等領域也有著廣泛的應用前景。納米氧化鎵國外其他一些國家已在大型民用飛機的承重部件用鋁鈧合金材料代替其他材料，以提高飛機的綜合性能。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。納米氧化鎵同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。興安盟納米氧化鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。

氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應用。納米氧化鎵而氧化銦顆粒尺寸達納米級別時除具有以上功能外，還具備了納米材料的表面效應、量子尺寸效應、小尺寸效應和宏觀量子隧道效應等。高純納米氧化鎵分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要應用于生產液晶顯示儀ITO和高能堿性電池鋅粉及熒光材料等方面。規格：氧化銦為黃色粉末狀。氧化銦每瓶重1000g±10g。化學成分：（Q指企業標準）

使金屬鎵在室溫或加熱的條件下與硫酸反應即可得到硫酸鎵的水溶液。納米氧化鎵或者將新制得的氫氧化鎵Ga(OH)3沉淀溶于2mol/L的硫酸溶液中也可制得硫酸鎵的水溶液。將這種硫酸鎵水溶液在60～70℃的溫度下進行濃縮，將所得的濃溶液冷卻，向其中加入乙醇/乙醚混合物，即可制得十八水硫酸鎵Ga2(SO4)3·18H2O的八面體結晶。興安盟納米氧化鎵反應中所用的氫氧化鎵沉淀可用向三價鎵鹽的水溶液加氨水制得。為了使生成的氫氧化鎵沉淀不致發生溶解，應注意不要使氨水加入過量。為了易于過濾，在沉定過程中可適當加熱。