于從含鈧礦物中直接提取鈧制品較困難，因而目前主要從處理含鈧礦物的副產物如廢渣、廢水、煙塵、赤泥中回收和提取氧化鈧，再以高純氧化鈧制備金屬鈧、鈧鋁中間合金、鈧鹽等鈧產品。鍺粉據新思界產業研究中心發布的《2019-2023年中國鈧產品行業市場供需現狀及發展趨勢預測報告 》。高純鍺粉粉末目前從工業廢液中直接提取鈧的工藝主要有三種：溶劑萃取法、化學沉淀法、離子交換法。

鎵的市場小，很容易受外界的影響，中鋁河南、遵義工廠的開工使鎵的供應增加，市場對后市供應可能會再度過剩的恐慌情緒對價格產生影響，造成鎵的價格難以維持平穩，鎵的進行價格調整期。鍺粉需要指出的是，目前鎵的價格已經接近生產成本線，后續鎵的生產將進入虧本經營，鎵市場降價趨勢的過早來臨改變了本年度下游對市場的預期，2017年的最后一個多月，鎵市場將會進入煎熬的調整期。鍺粉粉末下周鎵的市場預期仍不被看好，將穩中有降低。

鉍具有一系列的優良特性，如比重大、熔點低、凝固時體積冷脹熱縮等，尤其是鉍的無毒與不致癌性使鉍具有很多特殊的用途。鍺粉鉍廣泛應用于冶金、化工 、電子、宇航 、醫藥等領域。高純鍺粉從消費結構來看，各國鉍的消費結構各有側重，美國鉍的消費主要用于冶金添加劑、低熔點合金、焊料、彈藥筒以及醫藥化工行業等；日本和韓國的消費主要以電子行業為主；中國鉍消費仍舊是以傳統領域為主。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。鍺粉這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。鄂爾多斯高純鍺粉粉末到目前為止，SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。鍺粉由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純鍺粉粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

鎵是一種低熔點高沸點的稀散金屬，有“電子工業脊梁”的美譽。鍺粉鎵的化合物是優質的半導體材料，被廣泛應用到光電子工業和微波通信工業，用于制造微波通訊與微波集成、紅外光學與紅外探測器件、集成電路、發光二極管等。鍺粉粉末例如我們在電腦上看到的紅光和綠光就是由磷化鎵二極管發出的。目前，半導體行業金屬鎵消費量約占總消費量的80%—85%。