氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過(guò)碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氧化鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應(yīng)對(duì)更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純氧化鎵價(jià)格寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對(duì)龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。

氧化鍺，具有半導(dǎo)體性質(zhì)。對(duì)固體物理和固體電子學(xué)的發(fā)展超過(guò)重要作用。氧化鎵鍺的熔密度5.32克/厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時(shí)，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時(shí)，鍺會(huì)緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。鹽城氧化鎵鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會(huì)被碳所污染。鍺有著良好的半導(dǎo)體性質(zhì)，如電子遷移率、空穴遷移率等等。

對(duì)于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實(shí)驗(yàn)確定，是各不相同的。高純氧化鎵價(jià)格鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。氧化鎵MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問(wèn)題，但是基本用于實(shí)驗(yàn)研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的體式鍍膜機(jī)主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

鎵也被應(yīng)用到太陽(yáng)能電池的制造中，如砷化鎵三五族太陽(yáng)能電池，該電池具有良好的耐熱、耐輻射等特性，其光電轉(zhuǎn)換率非常高。氧化鎵最初因?yàn)樯a(chǎn)、使用成本都非常高，常常被應(yīng)用在航天和軍工領(lǐng)域。但近幾年隨著科技的發(fā)展，金屬鎵太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)和使用成本都在降低，搭配上聚光光學(xué)組件從而使其應(yīng)用領(lǐng)域開始擴(kuò)大，并且正在以較快的速度普及。CIGS薄膜太陽(yáng)能電池是第三代太陽(yáng)能電池，具有生產(chǎn)、安裝、使用成本低，光電轉(zhuǎn)換率高的優(yōu)勢(shì)，因而在眾多太陽(yáng)能電池產(chǎn)品中成為發(fā)展最快的一族。高純氧化鎵雖然世界上已投產(chǎn)或在建的CIGS工廠已超過(guò)40多家，但金屬鎵在CIGS的原材料中所占比重僅為5%—10%。隨著CIGS生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，該行業(yè)對(duì)金屬鎵的需求會(huì)有明顯增長(zhǎng)。

銦是一種很軟的、帶藍(lán)色色調(diào)的有銀白色金屬光澤的金屬。氧化鎵銦比鉛還軟，即使在液態(tài)氮的溫度下；用指甲可以輕易地留下劃痕，銦也能在和其他金屬摩擦的時(shí)候附著到其他金屬上去。氧化鎵價(jià)格銦的揮發(fā)性比鋅和鎘的小，但在氫氣或真空中能夠升華。銦及其化合物對(duì)人體沒(méi)有明顯的危害，但應(yīng)避免它們和身體破傷的部位接觸。銦能形成+1、+2和+3價(jià)的化合物，其中主要為+3價(jià)的銦化合物，如In2O3、InCl3、InN等。銦粉主要用于太陽(yáng)能電池導(dǎo)電漿，補(bǔ)牙材料，以及用作透明電極（ITO膜）、電子工業(yè)中焊料、低熔合金、高性能發(fā)動(dòng)機(jī)的軸承、低溫和真空領(lǐng)域作密封件等。