氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。金屬鈧粉氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優選材料。哪里有金屬鈧粉粉末其也因此被業界看做是第三代半導體材料的代表。

鎵與銦、鉈、錫、鉍、鋅等可在3℃—65℃之間組成一系列低熔合金，用于溫度測控、儀表中的代汞物、珠定業作中支撐物、金屬涂層、電子工業及核工業的冷卻回路。金屬鈧粉含25%銦的鎵合金為低熔點合金，在16℃時便熔化，可用于自動滅火裝置中。哪里有金屬鈧粉鎵與銅、鎳、錫、金等可組成冷焊劑，適于難焊接的異型薄壁，金屬間及其與陶瓷間的冷焊接與空洞堵塞。

對于蒸發鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點-島狀結構-迷走結構-層狀生長)形成薄膜。金屬鈧粉厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單組分鍍膜，蒸發鍍膜的組分均勻性不好。晉城金屬鈧粉晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發速率

金屬之間有生成合金的趨向。合金便是不同金屬間的互溶現象。金屬鈧粉一般金屬間構成合金需求很高的溫度。但有些金屬間并非需求高溫，例如水 銀在常溫下就能夠與多種金屬構成合金。鎵也有這種功用，由于家的熔點很低，在30攝氏度就成為了液態，這種液態的鎵就能夠與其他金屬生成合金，也便是對其他金屬有溶解的效果，對其他金屬形成腐蝕。金屬鈧粉粉末所以鎵不能裝在金屬容器中。