氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。氧化銦同時(shí)通過(guò)熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車(chē)以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。松原氧化銦β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

用途：用于制鍺，也用于電子工業(yè)。用作半導(dǎo)體材料。氧化銦用作金屬鍺和其他鍺化合物的制取原料、制取聚對(duì)苯二甲酸乙二酯樹(shù)脂時(shí)的催化劑以及光譜分析和半導(dǎo)體材料。可以制造光學(xué)玻璃熒光粉，可作為催化劑用于石油提煉時(shí)轉(zhuǎn)化、去氫、汽油餾份的調(diào)整、彩色膠卷及聚脂纖維生產(chǎn)。氧化銦廠家不但如此，二氧化鍺還是聚合反應(yīng)的催化劑，含二氧化鍺的玻璃有較高的折射率和色散性能，可作廣角照相機(jī)和顯微鏡鏡頭，隨著技術(shù)的發(fā)展，二氧化鍺被廣泛用于制作高純金屬鍺、鍺化合物、化工催化劑及醫(yī)藥工業(yè)，PET樹(shù)脂、電子器件等。

氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過(guò)碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氧化銦由于禁帶寬度可衡量使電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應(yīng)對(duì)更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純氧化銦廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對(duì)龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。

金屬之間有生成合金的趨向。合金便是不同金屬間的互溶現(xiàn)象。氧化銦一般金屬間構(gòu)成合金需求很高的溫度。但有些金屬間并非需求高溫，例如水 銀在常溫下就能夠與多種金屬構(gòu)成合金。鎵也有這種功用，由于家的熔點(diǎn)很低，在30攝氏度就成為了液態(tài)，這種液態(tài)的鎵就能夠與其他金屬生成合金，也便是對(duì)其他金屬有溶解的效果，對(duì)其他金屬形成腐蝕。氧化銦廠家所以鎵不能裝在金屬容器中。

金屬鈧比起釔和鑭系元素來(lái)，由于離子半徑特別小，氫氧化物的堿性也特別弱，因此，鈧和稀土元素混在一起時(shí)，用氨（或極稀的堿）處理，鈧將首先析出，故應(yīng)用“分級(jí)沉淀”法可比較容易地把它從稀土元素中分離出來(lái)。氧化銦另一種方法是利用硝酸鹽的分極分解進(jìn)行分離，由于硝酸鈧?cè)菀追纸猓瑥亩_(dá)到分離的目的。氧化銦廠家用電解的方法可制得金屬鈧，在煉鈧時(shí)將ScCl3、KCl、LiCl共熔，以熔融的鋅為陰極電解之，使鈧在鋅極上析出，然后將鋅蒸去可得金屬鈧。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料，因與鍺半導(dǎo)體互為等電子體，卻擁有不同的結(jié)構(gòu)與帶隙，就引起了科學(xué)界對(duì)探索其特性的廣泛興趣。氧化銦氮化鎵材料擁有良好的電學(xué)特性，相對(duì)于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認(rèn)為是研究短波長(zhǎng)光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。高純氧化銦廠家其也因此被業(yè)界看做是第三代半導(dǎo)體材料的代表。