三氧化二鉍純品有α型和β型。α型為黃色單斜晶系結(jié)晶，相對(duì)密度8.9，熔點(diǎn)825 ℃，溶于酸，不溶于水和堿。氧化鍺β型為亮黃色至橙色，正方晶系，相對(duì)密度8.55，熔點(diǎn)860 ℃，溶于酸，不溶于水。容易被氫氣、烴類等還原為金屬鉍。氧化鉍用于制備鉍鹽；用作電子陶瓷粉體材料、電解質(zhì)材料、光電材料、高溫超導(dǎo)材料、催化劑。高純氧化鍺氧化鉍作為電子陶瓷粉體材料中的重要添加劑，純度一般要求在99.15%以上，主要應(yīng)用對(duì)象有氧化鋅壓敏電阻、陶瓷電容、鐵氧體磁性材料三類；以及釉藥橡膠配合劑、醫(yī)藥、紅色玻璃配合劑等方面。

氧化銦是一種新的n型透明半導(dǎo)體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領(lǐng)域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應(yīng)用。氧化鍺電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑等。另外，廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學(xué)試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。高純氧化鍺廠家近年來(lái)大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。

極易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強(qiáng)烈吸濕。氧化鍺將金屬銦與鹽酸（滴入少量H2O2）反應(yīng)，濃縮溶液時(shí)可得InCl3·4H2O，為無(wú)色結(jié)晶。56℃溶于自身的結(jié)晶水。在空氣中加熱將失去HCl，最終產(chǎn)物為In2O3而不能得無(wú)水的InCl3。無(wú)水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應(yīng)制得；或用三氧化二銦（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反應(yīng)，三氯化銦以純品升華出來(lái)。高純氧化鍺廠家三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長(zhǎng)促進(jìn)劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在，前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應(yīng)制得，后者用三氯化銦與金屬銦反應(yīng)制得。二者不穩(wěn)定，遇水分解。所以根據(jù)以上所述氧化銦是無(wú)毒的。

對(duì)于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實(shí)驗(yàn)確定，是各不相同的。高純氧化鍺廠家鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。氧化鍺MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問(wèn)題，但是基本用于實(shí)驗(yàn)研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的體式鍍膜機(jī)主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過(guò)碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氧化鍺由于禁帶寬度可衡量使電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應(yīng)對(duì)更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純氧化鍺廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對(duì)龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。

二氧化鍺為四方晶系、六方晶系或無(wú)定形體。氧化鍺六方結(jié)晶與β-石英同構(gòu)，鍺為四配位，四方結(jié)晶具有超石英型結(jié)構(gòu)，類似于金紅石，其中鍺為六配位。高壓下，無(wú)定形二氧化鍺轉(zhuǎn)變?yōu)榱湮唤Y(jié)構(gòu);隨著壓力降低，二氧化鍺也逐漸變?yōu)樗呐湮坏慕Y(jié)構(gòu)。類金紅石型結(jié)構(gòu)的二氧化鍺在高壓下可轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N正交晶系氯化鈣型結(jié)構(gòu)。高純氧化鍺二氧化鍺不溶于水和鹽酸，溶于堿液生成鍺酸鹽。 類金紅石型結(jié)構(gòu)的二氧化鍺比六方二氧化鍺更易溶于水，它與水作用時(shí)可產(chǎn)生鍺酸。二氧化鍺與鍺粉在1000°C共熱時(shí)，可得到一氧化鍺。