對于不同的濺射材料和基片，參數需要實驗確定，是各不相同的。高純氫氧化銦粉末鍍膜設備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。氫氧化銦MBE分子束外沿鍍膜技術，已經比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業生產上比較常用的體式鍍膜機主要以離子蒸發鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

在原子能工業中，鎵可以作為熱傳導物質，將反應堆中的熱量傳導出來。此外，鎵還可以吸收中子，從而達到控制中子數目和反應速度的效果。氫氧化銦碘化鎵應用到高壓水銀燈鎵還可以用來制造陰極蒸汽燈。將碘化鎵加入到高壓水銀燈中，可以增大水銀燈的輻射強度。由于鎵具有“熱縮冷脹”性質，所以具有較好的鑄造性，可以用來制造鉛字合金，使字體清晰。鞍山氫氧化銦鎵蒸汽壓很低，可以在真空裝置中做密封液。

鎵也被應用到太陽能電池的制造中，如砷化鎵三五族太陽能電池，該電池具有良好的耐熱、耐輻射等特性，其光電轉換率非常高。氫氧化銦最初因為生產、使用成本都非常高，常常被應用在航天和軍工領域。但近幾年隨著科技的發展，金屬鎵太陽能電池的生產和使用成本都在降低，搭配上聚光光學組件從而使其應用領域開始擴大，并且正在以較快的速度普及。CIGS薄膜太陽能電池是第三代太陽能電池，具有生產、安裝、使用成本低，光電轉換率高的優勢，因而在眾多太陽能電池產品中成為發展最快的一族。高純氫氧化銦雖然世界上已投產或在建的CIGS工廠已超過40多家，但金屬鎵在CIGS的原材料中所占比重僅為5%—10%。隨著CIGS生產規模的擴大，該行業對金屬鎵的需求會有明顯增長。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氫氧化銦這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。鞍山高純氫氧化銦粉末到目前為止，SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。