氧化銦是一種新的n型透明半導(dǎo)體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領(lǐng)域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應(yīng)用。氮化鎵電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑等。另外，廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學(xué)試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。哪里有氮化鎵粉末近年來(lái)大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。

鉍具有一系列的優(yōu)良特性，如比重大、熔點(diǎn)低、凝固時(shí)體積冷脹熱縮等，尤其是鉍的無(wú)毒與不致癌性使鉍具有很多特殊的用途。氮化鎵鉍廣泛應(yīng)用于冶金、化工 、電子、宇航 、醫(yī)藥等領(lǐng)域。哪里有氮化鎵從消費(fèi)結(jié)構(gòu)來(lái)看，各國(guó)鉍的消費(fèi)結(jié)構(gòu)各有側(cè)重，美國(guó)鉍的消費(fèi)主要用于冶金添加劑、低熔點(diǎn)合金、焊料、彈藥筒以及醫(yī)藥化工行業(yè)等；日本和韓國(guó)的消費(fèi)主要以電子行業(yè)為主；中國(guó)鉍消費(fèi)仍舊是以傳統(tǒng)領(lǐng)域?yàn)橹鳌?/p>

氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過(guò)碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氮化鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應(yīng)對(duì)更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。哪里有氮化鎵粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對(duì)龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。氮化鎵同時(shí)通過(guò)熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。鄂爾多斯氮化鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

生產(chǎn)工藝技術(shù)及設(shè)備經(jīng)過(guò)多年來(lái)的研究和生產(chǎn)實(shí)踐后，目前從含鈧原料中提取Sc2O3的工藝技術(shù)有下列幾種方法：①萃取法。氮化鎵生產(chǎn)中使用較多,其具有產(chǎn)量大、質(zhì)量好、回收率高、成本低及生產(chǎn)中可連續(xù)作業(yè)的特點(diǎn)。②離子交換法。生產(chǎn)中也常被采用。其具有產(chǎn)量小，純度較高，收率較低，成本較高及生產(chǎn)周期長(zhǎng)的特點(diǎn)。③萃淋樹(shù)脂色層法。其具有生產(chǎn)周期短，純度高，收率高和成本低的特點(diǎn)。④液膜萃取法。哪里有氮化鎵它是膜分離與液液萃取相結(jié)合的一種新型分離技術(shù)。