極易溶于水,稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強烈吸濕。氧化鈧將金屬銦與鹽酸(滴入少量H2O2)反應,濃縮溶液時可得InCl3·4H2O,為無色結晶。56℃溶于自身的結晶水。在空氣中加熱將失去HCl,最終產物為In2O3而不能得無水的InCl3。無水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應制得;或用三氧化二銦(In2O3)和硫酰氯(SOCl2)反應,三氯化銦以純品升華出來。高純氧化鈧廠家三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長促進劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在,前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應制得,后者用三氯化銦與金屬銦反應制得。二者不穩定,遇水分解。所以根據以上所述氧化銦是無毒的。
銦是一種很軟的、帶藍色色調的有銀白色金屬光澤的金屬。氧化鈧銦比鉛還軟,即使在液態氮的溫度下;用指甲可以輕易地留下劃痕,銦也能在和其他金屬摩擦的時候附著到其他金屬上去。氧化鈧廠家銦的揮發性比鋅和鎘的小,但在氫氣或真空中能夠升華。銦及其化合物對人體沒有明顯的危害,但應避免它們和身體破傷的部位接觸。銦能形成+1、+2和+3價的化合物,其中主要為+3價的銦化合物,如In2O3、InCl3、InN等。銦粉主要用于太陽能電池導電漿,補牙材料,以及用作透明電極(ITO膜)、電子工業中焊料、低熔合金、高性能發動機的軸承、低溫和真空領域作密封件等。
幾年來,科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵(ga2O3)。氧化鈧這種新型半導體的帶隙相對較大,為4.8電子伏,這意味著在電力電子領域,特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下,氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段:硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。丹東高純氧化鈧廠家到目前為止,SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體,但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說,仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此,它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上,但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。
氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料,具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性,在光電領域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應用。氧化鈧電阻式觸摸屏中經常使用的原材料,主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外,廣泛應用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統領域。高純氧化鈧廠家近年來大量應用于光電行業等高新技術領域和軍事領域,特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材,制造透明電極和透明熱反射體材料,用于生產平面液晶顯示器和除霧冰器。