氧化鎵是一種新興的功率半導體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應用領域的應用優勢愈加明顯。氧化鈧但氧化鎵不會取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導體材料。氧化鈧粉末氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統可用的功率和電壓范圍方面發揮作用。而最有希望的應用可能是電力調節和配電系統中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統。但是，在成為電力電子產品的主要競爭者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發和推進工作，以克服自身的不足。

真空鍍膜過程非常復雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類，僅僅因為都需要高真空度而擁有統名稱。氧化鈧所以對于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個概念本身也會隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。氧化鈧粉末化學組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產生不均勻性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜的技術含量所在。晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術中的熱點問題。

鎵的鹵化物具有較高的活性，可以用于聚合和脫水等工藝，例如使用三氯化鎵(GaCl3)作催化劑生產乙基苯、丙基苯和酮。氧化鈧而來自美國和丹麥科研人員開發的一種新的鎳-鎵催化劑，可以用來轉化氫和二氧化碳為甲醇。氧化鈧粉末為了提高石油開采的經濟效益，包括中國在內的一些國家都在研究使用硝酸鎵的新型石油催化劑。

氧化銦的合成方法有哪些？將高純金屬銦在空氣中燃燒或將碳酸銦煅燒生成In2O、InO、In2O3，精細控制還原條件可制得高純In2O3。求購氧化鈧粉末也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時，溫度過高的話，In2O3有熱分解的可能性，若溫度過低則難以完全脫水，而且生成的氧化物具有吸濕性，因此，加熱溫度和時間是重要的因素。另外，因為In2O3容易被還原，所以必須經常保持在氧化氣氛中。氧化鈧將氫氧化銦在空氣中，于850℃灼燒至恒重，生成In2O3，再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。

氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應用。氧化鈧電阻式觸摸屏中經常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外，廣泛應用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統領域。求購氧化鈧粉末近年來大量應用于光電行業等高新技術領域和軍事領域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產平面液晶顯示器和除霧冰器。

鈧是稀土元素的一種，是應用于諸多國防軍工及高科技領域的不可替代的戰略資源。氧化鈧金屬鈧粉在新材料領域中的應用，包括在鋁鈧合金、燃料電池、鈧鈉鹵燈、示蹤劑、激光晶體、特種鋼和有色合金中的作用，并分析了它們的具體應用領域。盤錦氧化鈧隨后分析了制約鈧規模化應用的因素，并簡要介紹了當前鈧資源的生產開發狀況。