對于蒸發鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點-島狀結構-迷走結構-層狀生長)形成薄膜。氮化鎵厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單組分鍍膜，蒸發鍍膜的組分均勻性不好。太原氮化鎵晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發速率

鎵與銦、鉈、錫、鉍、鋅等可在3℃—65℃之間組成一系列低熔合金，用于溫度測控、儀表中的代汞物、珠定業作中支撐物、金屬涂層、電子工業及核工業的冷卻回路。氮化鎵含25%銦的鎵合金為低熔點合金，在16℃時便熔化，可用于自動滅火裝置中。哪里有氮化鎵鎵與銅、鎳、錫、金等可組成冷焊劑，適于難焊接的異型薄壁，金屬間及其與陶瓷間的冷焊接與空洞堵塞。

鎵是一種低熔點高沸點的稀散金屬，有“電子工業脊梁”的美譽。氮化鎵鎵的化合物是優質的半導體材料，被廣泛應用到光電子工業和微波通信工業，用于制造微波通訊與微波集成、紅外光學與紅外探測器件、集成電路、發光二極管等。氮化鎵粉末例如我們在電腦上看到的紅光和綠光就是由磷化鎵二極管發出的。目前，半導體行業金屬鎵消費量約占總消費量的80%—85%。

鎵的市場小，很容易受外界的影響，中鋁河南、遵義工廠的開工使鎵的供應增加，市場對后市供應可能會再度過剩的恐慌情緒對價格產生影響，造成鎵的價格難以維持平穩，鎵的進行價格調整期。氮化鎵需要指出的是，目前鎵的價格已經接近生產成本線，后續鎵的生產將進入虧本經營，鎵市場降價趨勢的過早來臨改變了本年度下游對市場的預期，2017年的最后一個多月，鎵市場將會進入煎熬的調整期。氮化鎵粉末下周鎵的市場預期仍不被看好，將穩中有降低。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。氮化鎵我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導體元件（以下簡稱功率元件）的研發。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。太原氮化鎵粉末其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。氮化鎵特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氮化鎵粉末這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。