氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。醋酸銦氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優選材料。求購醋酸銦廠家其也因此被業界看做是第三代半導體材料的代表。

鎵也被應用到太陽能電池的制造中，如砷化鎵三五族太陽能電池，該電池具有良好的耐熱、耐輻射等特性，其光電轉換率非常高。醋酸銦最初因為生產、使用成本都非常高，常常被應用在航天和軍工領域。但近幾年隨著科技的發展，金屬鎵太陽能電池的生產和使用成本都在降低，搭配上聚光光學組件從而使其應用領域開始擴大，并且正在以較快的速度普及。CIGS薄膜太陽能電池是第三代太陽能電池，具有生產、安裝、使用成本低，光電轉換率高的優勢，因而在眾多太陽能電池產品中成為發展最快的一族。求購醋酸銦雖然世界上已投產或在建的CIGS工廠已超過40多家，但金屬鎵在CIGS的原材料中所占比重僅為5%—10%。隨著CIGS生產規模的擴大，該行業對金屬鎵的需求會有明顯增長。

氧化鍺，具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發展超過重要作用。醋酸銦鍺的熔密度5.32克/厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質穩定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。齊齊哈爾醋酸銦鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等等。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。醋酸銦特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。醋酸銦廠家這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

氟化鎵:白色結晶粉末。六方晶結構。醋酸銦易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英，晶體結構為離子晶體。物化性質:白色結晶粉末。六方晶結構。密度4.47g/cm3。熔點約1000℃。在氮氣流中約800℃下升華而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氫氟酸中。由六氟鎵酸銨熱分解制取。三水合物易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英。求購醋酸銦廠家氟化鎵是一種無機化合物。這種白色固體的熔點超過1000°C，但是在950°C左右就會升華。它具有FeF3型結構，鎵原子為6配位。