金屬之間有生成合金的趨向。合金便是不同金屬間的互溶現象。金屬鉍粉一般金屬間構成合金需求很高的溫度。但有些金屬間并非需求高溫，例如水 銀在常溫下就能夠與多種金屬構成合金。鎵也有這種功用，由于家的熔點很低，在30攝氏度就成為了液態，這種液態的鎵就能夠與其他金屬生成合金，也便是對其他金屬有溶解的效果，對其他金屬形成腐蝕。金屬鉍粉廠家所以鎵不能裝在金屬容器中。

氟化鎵:白色結晶粉末。六方晶結構。金屬鉍粉易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英，晶體結構為離子晶體。物化性質:白色結晶粉末。六方晶結構。密度4.47g/cm3。熔點約1000℃。在氮氣流中約800℃下升華而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氫氟酸中。由六氟鎵酸銨熱分解制取。三水合物易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英。高純金屬鉍粉廠家氟化鎵是一種無機化合物。這種白色固體的熔點超過1000°C，但是在950°C左右就會升華。它具有FeF3型結構，鎵原子為6配位。

氧化鍺，具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發展超過重要作用。金屬鉍粉鍺的熔密度5.32克/厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質穩定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。白山金屬鉍粉鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等等。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。金屬鉍粉由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純金屬鉍粉廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

對于不同的濺射材料和基片，參數需要實驗確定，是各不相同的。高純金屬鉍粉廠家鍍膜設備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。金屬鉍粉MBE分子束外沿鍍膜技術，已經比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業生產上比較常用的體式鍍膜機主要以離子蒸發鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

對于蒸發鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點-島狀結構-迷走結構-層狀生長)形成薄膜。金屬鉍粉厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單組分鍍膜，蒸發鍍膜的組分均勻性不好。白山金屬鉍粉晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發速率