目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。氫氧化銦特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氫氧化銦粉末這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

氟化鎵:白色結晶粉末。六方晶結構。氫氧化銦易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英，晶體結構為離子晶體。物化性質:白色結晶粉末。六方晶結構。密度4.47g/cm3。熔點約1000℃。在氮氣流中約800℃下升華而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氫氟酸中。由六氟鎵酸銨熱分解制取。三水合物易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英。高純氫氧化銦粉末氟化鎵是一種無機化合物。這種白色固體的熔點超過1000°C，但是在950°C左右就會升華。它具有FeF3型結構，鎵原子為6配位。

鎵是一種低熔點高沸點的稀散金屬，有“電子工業脊梁”的美譽。氫氧化銦鎵的化合物是優質的半導體材料，被廣泛應用到光電子工業和微波通信工業，用于制造微波通訊與微波集成、紅外光學與紅外探測器件、集成電路、發光二極管等。氫氧化銦粉末例如我們在電腦上看到的紅光和綠光就是由磷化鎵二極管發出的。目前，半導體行業金屬鎵消費量約占總消費量的80%—85%。

使金屬鎵在室溫或加熱的條件下與硫酸反應即可得到硫酸鎵的水溶液。氫氧化銦或者將新制得的氫氧化鎵Ga(OH)3沉淀溶于2mol/L的硫酸溶液中也可制得硫酸鎵的水溶液。將這種硫酸鎵水溶液在60～70℃的溫度下進行濃縮，將所得的濃溶液冷卻，向其中加入乙醇/乙醚混合物，即可制得十八水硫酸鎵Ga2(SO4)3·18H2O的八面體結晶。宿遷市氫氧化銦反應中所用的氫氧化鎵沉淀可用向三價鎵鹽的水溶液加氨水制得。為了使生成的氫氧化鎵沉淀不致發生溶解，應注意不要使氨水加入過量。為了易于過濾，在沉定過程中可適當加熱。