三氧化二鉍純品有α型和β型。α型為黃色單斜晶系結晶，相對密度8.9，熔點825 ℃，溶于酸，不溶于水和堿。氧化銦β型為亮黃色至橙色，正方晶系，相對密度8.55，熔點860 ℃，溶于酸，不溶于水。容易被氫氣、烴類等還原為金屬鉍。氧化鉍用于制備鉍鹽；用作電子陶瓷粉體材料、電解質材料、光電材料、高溫超導材料、催化劑。求購氧化銦氧化鉍作為電子陶瓷粉體材料中的重要添加劑，純度一般要求在99.15%以上，主要應用對象有氧化鋅壓敏電阻、陶瓷電容、鐵氧體磁性材料三類；以及釉藥橡膠配合劑、醫藥、紅色玻璃配合劑等方面。

對于不同的濺射材料和基片，參數需要實驗確定，是各不相同的。求購氧化銦廠家鍍膜設備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。氧化銦MBE分子束外沿鍍膜技術，已經比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業生產上比較常用的體式鍍膜機主要以離子蒸發鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

鎵與銦、鉈、錫、鉍、鋅等可在3℃—65℃之間組成一系列低熔合金，用于溫度測控、儀表中的代汞物、珠定業作中支撐物、金屬涂層、電子工業及核工業的冷卻回路。氧化銦含25%銦的鎵合金為低熔點合金，在16℃時便熔化，可用于自動滅火裝置中。求購氧化銦鎵與銅、鎳、錫、金等可組成冷焊劑，適于難焊接的異型薄壁，金屬間及其與陶瓷間的冷焊接與空洞堵塞。

對于蒸發鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點-島狀結構-迷走結構-層狀生長)形成薄膜。氧化銦厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單組分鍍膜，蒸發鍍膜的組分均勻性不好。雞西氧化銦晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發速率

用純Sc2O3≥ 99.9%加入于釓鎵石榴石(GGG)可制成釓鎵鈧石榴石(GGSG)，其構成為Gd3Sc2Ga3O12型式。氧化銦由它做成的第三代激光器所發出的發射功率比同體積的激光器提高3.0倍，已達到了大功率化和小型化的激光裝置，提高了激光振蕩輸出功率，改進了激光器的使用性能。在制備單晶時，每爐料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料為1.0kg左右。氧化銦廠家目前這種激光器在軍工技術上的應用日益廣泛，也逐步推向民用工業。從發展看，今后在軍用和民用的潛力較大。