氫氧化銦屬于銦的延伸產品,為白色沉淀,加熱至低于150℃時失水,不溶于冷水、氨水,微溶于NaOH,在濃堿中生成M3[In(OH)6],溶于酸。制法:由銦鹽水溶液中加入氨水或氫氧化堿而得。遼源氧化鍺用途:廣泛應用于顯示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化學試劑、低汞和無汞電池的添加劑,以及ITO靶材,如太陽能電池、液晶顯示材料、低汞和無汞堿性電池鋅的添加劑等。氧化鍺隨著電池無汞化的進程,用氫氧化銦取代汞做為電池的添加劑已成為今后電池業的發展趨勢。
氧化銦的用途:電阻式觸摸屏中經常使用的原材料,主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外,廣泛應用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統領域。氧化鍺近年來大量應用于光電行業等高新技術領域和軍事領域,特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材,制造透明電極和透明熱反射體材料,用于生產平面液晶顯示器和除霧冰器。遼源高純氧化鍺粉末氧化銦的貯存方法:保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方,確保工作間有良好的通風或排氣裝置。
鈧在合金中主要起著變質和細化晶粒的作用,使生成新相的Al3Sc型而呈現了性能優異的特色。氧化鍺Al-Sc合金已形成了系列的合金系列,如俄羅斯已達到17種Al-Sc系列,我國也有幾種合金(如Al-Mg-Sc-Zr及Al-Zn-Mg-Sc合金)。這類合金的特性其它材料無法代替,故從發展上看,其應用發展及潛力是很大的,可望成為今后的應用大戶。遼源氧化鍺如俄羅斯已工業化生產,且用于輕型結構件發展較快,我國也正在加快研制和應用,特別是在宇航和航空方面前景最好。
SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。氧化鍺我們一直在致力于利用氧化鎵(Ga2O3)的功率半導體元件(以下簡稱功率元件)的研發。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發的SiC和GaN相比,有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。遼源氧化鍺粉末其原因在于材料特性出色,比如帶隙比SiC及GaN大,而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。