氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。氧化銦氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優選材料。高純氧化銦粉末其也因此被業界看做是第三代半導體材料的代表。

鉍具有一系列的優良特性，如比重大、熔點低、凝固時體積冷脹熱縮等，尤其是鉍的無毒與不致癌性使鉍具有很多特殊的用途。氧化銦鉍廣泛應用于冶金、化工 、電子、宇航 、醫藥等領域。高純氧化銦從消費結構來看，各國鉍的消費結構各有側重，美國鉍的消費主要用于冶金添加劑、低熔點合金、焊料、彈藥筒以及醫藥化工行業等；日本和韓國的消費主要以電子行業為主；中國鉍消費仍舊是以傳統領域為主。

氧化鈧(Sc2O3)是鈧制品中較為重要的產品之一。氧化銦它的物化性質與稀土氧化物(如La2O3,Y2O3和Lu2O3等)相近,故在生產中采用的生產方法極為相似。Sc2O3可生成金屬鈧(Sc)，不同鹽類(ScCl3,ScF3,ScI3,Sc2(C2O4)3等)及多種鈧合金(Al-Sc,Al-Zr-Sc系列)的產物。這些鈧制品具有實用的技術價值及較好的經濟效果。氧化銦粉末由于Sc2O3具有一些特性,所以在鋁合金、電光源、激光、催化劑、激活劑、陶瓷和宇航等方面已有較好的應用，其發展前景十分廣闊。

氧化銦的合成方法有哪些？將高純金屬銦在空氣中燃燒或將碳酸銦煅燒生成In2O、InO、In2O3，精細控制還原條件可制得高純In2O3。高純氧化銦粉末也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時，溫度過高的話，In2O3有熱分解的可能性，若溫度過低則難以完全脫水，而且生成的氧化物具有吸濕性，因此，加熱溫度和時間是重要的因素。另外，因為In2O3容易被還原，所以必須經常保持在氧化氣氛中。氧化銦將氫氧化銦在空氣中，于850℃灼燒至恒重，生成In2O3，再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。