SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。氟化銦我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導體元件（以下簡稱功率元件）的研發。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。大興安嶺氟化銦粉末其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。

金屬鎵是一種銀白色的稀有金屬。1875年，法國的布瓦博德朗在用光譜分析從閃鋅礦得到的提金屬鎵，鎵的發現不僅是一個化學元素的發現，它的發現引起了科學家們對門捷列夫擬定的元素周期系的注重，使化學元素周期系得到贊揚和供認。氟化銦我國金屬鎵的消費領域包括半導體和光電材料、太陽能電池、合金、醫療器械、磁性材料等，其中半導體行業已成為鎵最大的消費領域，約占總消費量的80%。大興安嶺高純氟化銦粉末隨著鎵下游應用行業的快速發展，尤其是半導體行業和太陽能電池行業，未來金屬鎵需求也將穩步增長。

氧化銦的用途：電阻式觸摸屏中經常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外，廣泛應用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統領域。氟化銦近年來大量應用于光電行業等高新技術領域和軍事領域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產平面液晶顯示器和除霧冰器。大興安嶺高純氟化銦粉末氧化銦的貯存方法：保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風或排氣裝置。

用純Sc2O3≥ 99.9%加入于釓鎵石榴石(GGG)可制成釓鎵鈧石榴石(GGSG)，其構成為Gd3Sc2Ga3O12型式。氟化銦由它做成的第三代激光器所發出的發射功率比同體積的激光器提高3.0倍，已達到了大功率化和小型化的激光裝置，提高了激光振蕩輸出功率，改進了激光器的使用性能。在制備單晶時，每爐料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料為1.0kg左右。氟化銦粉末目前這種激光器在軍工技術上的應用日益廣泛，也逐步推向民用工業。從發展看，今后在軍用和民用的潛力較大。

對于不同的濺射材料和基片，參數需要實驗確定，是各不相同的。高純氟化銦粉末鍍膜設備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。氟化銦MBE分子束外沿鍍膜技術，已經比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業生產上比較常用的體式鍍膜機主要以離子蒸發鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應用。氟化銦電阻式觸摸屏中經常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外，廣泛應用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統領域。高純氟化銦粉末近年來大量應用于光電行業等高新技術領域和軍事領域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產平面液晶顯示器和除霧冰器。