氧化鈧(Sc2O3)是鈧制品中較為重要的產品之一。納米氧化鎵它的物化性質與稀土氧化物(如La2O3,Y2O3和Lu2O3等)相近,故在生產中采用的生產方法極為相似。Sc2O3可生成金屬鈧(Sc)，不同鹽類(ScCl3,ScF3,ScI3,Sc2(C2O4)3等)及多種鈧合金(Al-Sc,Al-Zr-Sc系列)的產物。這些鈧制品具有實用的技術價值及較好的經濟效果。納米氧化鎵價格由于Sc2O3具有一些特性,所以在鋁合金、電光源、激光、催化劑、激活劑、陶瓷和宇航等方面已有較好的應用，其發展前景十分廣闊。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。納米氧化鎵氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優選材料。求購納米氧化鎵價格其也因此被業界看做是第三代半導體材料的代表。

鈧在合金中主要起著變質和細化晶粒的作用，使生成新相的Al3Sc型而呈現了性能優異的特色。納米氧化鎵Al-Sc合金已形成了系列的合金系列，如俄羅斯已達到17種Al-Sc系列，我國也有幾種合金(如Al-Mg-Sc-Zr及Al-Zn-Mg-Sc合金)。這類合金的特性其它材料無法代替，故從發展上看，其應用發展及潛力是很大的，可望成為今后的應用大戶。阜新納米氧化鎵如俄羅斯已工業化生產，且用于輕型結構件發展較快，我國也正在加快研制和應用，特別是在宇航和航空方面前景最好。

氧化鎵是一種新興的功率半導體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應用領域的應用優勢愈加明顯。納米氧化鎵但氧化鎵不會取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導體材料。納米氧化鎵價格氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統可用的功率和電壓范圍方面發揮作用。而最有希望的應用可能是電力調節和配電系統中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統。但是，在成為電力電子產品的主要競爭者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發和推進工作，以克服自身的不足。

鈧是稀土元素的一種，是應用于諸多國防軍工及高科技領域的不可替代的戰略資源。納米氧化鎵金屬鈧粉在新材料領域中的應用，包括在鋁鈧合金、燃料電池、鈧鈉鹵燈、示蹤劑、激光晶體、特種鋼和有色合金中的作用，并分析了它們的具體應用領域。阜新納米氧化鎵隨后分析了制約鈧規模化應用的因素，并簡要介紹了當前鈧資源的生產開發狀況。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。納米氧化鎵同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。阜新納米氧化鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。