SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關(guān)注。氧化鈧我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導體元件（以下簡稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。鄂爾多斯氧化鈧廠家其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長法”。

金屬之間有生成合金的趨向。合金便是不同金屬間的互溶現(xiàn)象。氧化鈧一般金屬間構(gòu)成合金需求很高的溫度。但有些金屬間并非需求高溫，例如水 銀在常溫下就能夠與多種金屬構(gòu)成合金。鎵也有這種功用，由于家的熔點很低，在30攝氏度就成為了液態(tài)，這種液態(tài)的鎵就能夠與其他金屬生成合金，也便是對其他金屬有溶解的效果，對其他金屬形成腐蝕。氧化鈧廠家所以鎵不能裝在金屬容器中。

氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領(lǐng)域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應(yīng)用。氧化鈧電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外，廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。高純氧化鈧廠家近年來大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。

在原子能工業(yè)中，鎵可以作為熱傳導物質(zhì)，將反應(yīng)堆中的熱量傳導出來。此外，鎵還可以吸收中子，從而達到控制中子數(shù)目和反應(yīng)速度的效果。氧化鈧碘化鎵應(yīng)用到高壓水銀燈鎵還可以用來制造陰極蒸汽燈。將碘化鎵加入到高壓水銀燈中，可以增大水銀燈的輻射強度。由于鎵具有“熱縮冷脹”性質(zhì)，所以具有較好的鑄造性，可以用來制造鉛字合金，使字體清晰。鄂爾多斯氧化鈧鎵蒸汽壓很低，可以在真空裝置中做密封液。

鉍具有一系列的優(yōu)良特性，如比重大、熔點低、凝固時體積冷脹熱縮等，尤其是鉍的無毒與不致癌性使鉍具有很多特殊的用途。氧化鈧鉍廣泛應(yīng)用于冶金、化工 、電子、宇航 、醫(yī)藥等領(lǐng)域。高純氧化鈧從消費結(jié)構(gòu)來看，各國鉍的消費結(jié)構(gòu)各有側(cè)重，美國鉍的消費主要用于冶金添加劑、低熔點合金、焊料、彈藥筒以及醫(yī)藥化工行業(yè)等；日本和韓國的消費主要以電子行業(yè)為主；中國鉍消費仍舊是以傳統(tǒng)領(lǐng)域為主。