幾年來,科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵(ga2O3)。金屬鎵這種新型半導體的帶隙相對較大,為4.8電子伏,這意味著在電力電子領域,特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下,氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段:硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。晉城高純金屬鎵粉末到目前為止,SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體,但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說,仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此,它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上,但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。
三氧化二鉍純品有α型和β型。α型為黃色單斜晶系結晶,相對密度8.9,熔點825 ℃,溶于酸,不溶于水和堿。金屬鎵β型為亮黃色至橙色,正方晶系,相對密度8.55,熔點860 ℃,溶于酸,不溶于水。容易被氫氣、烴類等還原為金屬鉍。氧化鉍用于制備鉍鹽;用作電子陶瓷粉體材料、電解質材料、光電材料、高溫超導材料、催化劑。高純金屬鎵氧化鉍作為電子陶瓷粉體材料中的重要添加劑,純度一般要求在99.15%以上,主要應用對象有氧化鋅壓敏電阻、陶瓷電容、鐵氧體磁性材料三類;以及釉藥橡膠配合劑、醫藥、紅色玻璃配合劑等方面。
氫氧化銦屬于銦的延伸產品,為白色沉淀,加熱至低于150℃時失水,不溶于冷水、氨水,微溶于NaOH,在濃堿中生成M3[In(OH)6],溶于酸。制法:由銦鹽水溶液中加入氨水或氫氧化堿而得。晉城金屬鎵用途:廣泛應用于顯示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化學試劑、低汞和無汞電池的添加劑,以及ITO靶材,如太陽能電池、液晶顯示材料、低汞和無汞堿性電池鋅的添加劑等。金屬鎵隨著電池無汞化的進程,用氫氧化銦取代汞做為電池的添加劑已成為今后電池業的發展趨勢。
氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料,具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性,在光電領域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應用。金屬鎵而氧化銦顆粒尺寸達納米級別時除具有以上功能外,還具備了納米材料的表面效應、量子尺寸效應、小尺寸效應和宏觀量子隧道效應等。高純金屬鎵分子式:In2O3,分子量277.62。用途:主要應用于生產液晶顯示儀ITO和高能堿性電池鋅粉及熒光材料等方面。規格:氧化銦為黃色粉末狀。氧化銦每瓶重1000g±10g?;瘜W成分:(Q指企業標準)