氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。氟化銦同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。鞍山氟化銦β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。

鈧在合金中主要起著變質和細化晶粒的作用，使生成新相的Al3Sc型而呈現了性能優異的特色。氟化銦Al-Sc合金已形成了系列的合金系列，如俄羅斯已達到17種Al-Sc系列，我國也有幾種合金(如Al-Mg-Sc-Zr及Al-Zn-Mg-Sc合金)。這類合金的特性其它材料無法代替，故從發展上看，其應用發展及潛力是很大的，可望成為今后的應用大戶。鞍山氟化銦如俄羅斯已工業化生產，且用于輕型結構件發展較快，我國也正在加快研制和應用，特別是在宇航和航空方面前景最好。

鎵的市場小，很容易受外界的影響，中鋁河南、遵義工廠的開工使鎵的供應增加，市場對后市供應可能會再度過剩的恐慌情緒對價格產生影響，造成鎵的價格難以維持平穩，鎵的進行價格調整期。氟化銦需要指出的是，目前鎵的價格已經接近生產成本線，后續鎵的生產將進入虧本經營，鎵市場降價趨勢的過早來臨改變了本年度下游對市場的預期，2017年的最后一個多月，鎵市場將會進入煎熬的調整期。氟化銦價格下周鎵的市場預期仍不被看好，將穩中有降低。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氟化銦這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。鞍山哪里有氟化銦價格到目前為止，SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。