鎵是一種低熔點(diǎn)高沸點(diǎn)的稀散金屬，有“電子工業(yè)脊梁”的美譽(yù)。納米氧化鎵鎵的化合物是優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體材料，被廣泛應(yīng)用到光電子工業(yè)和微波通信工業(yè)，用于制造微波通訊與微波集成、紅外光學(xué)與紅外探測(cè)器件、集成電路、發(fā)光二極管等。納米氧化鎵廠家例如我們?cè)陔娔X上看到的紅光和綠光就是由磷化鎵二極管發(fā)出的。目前，半導(dǎo)體行業(yè)金屬鎵消費(fèi)量約占總消費(fèi)量的80%—85%。

氧化鎵是一種新興的功率半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)愈加明顯。納米氧化鎵但氧化鎵不會(huì)取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。納米氧化鎵廠家氧化鎵更有可能在擴(kuò)展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動(dòng)汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。但是，在成為電力電子產(chǎn)品的主要競(jìng)爭(zhēng)者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發(fā)和推進(jìn)工作，以克服自身的不足。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料，因與鍺半導(dǎo)體互為等電子體，卻擁有不同的結(jié)構(gòu)與帶隙，就引起了科學(xué)界對(duì)探索其特性的廣泛興趣。納米氧化鎵氮化鎵材料擁有良好的電學(xué)特性，相對(duì)于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認(rèn)為是研究短波長(zhǎng)光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。高純納米氧化鎵廠家其也因此被業(yè)界看做是第三代半導(dǎo)體材料的代表。

生產(chǎn)工藝技術(shù)及設(shè)備經(jīng)過多年來的研究和生產(chǎn)實(shí)踐后，目前從含鈧原料中提取Sc2O3的工藝技術(shù)有下列幾種方法：①萃取法。納米氧化鎵生產(chǎn)中使用較多,其具有產(chǎn)量大、質(zhì)量好、回收率高、成本低及生產(chǎn)中可連續(xù)作業(yè)的特點(diǎn)。②離子交換法。生產(chǎn)中也常被采用。其具有產(chǎn)量小，純度較高，收率較低，成本較高及生產(chǎn)周期長(zhǎng)的特點(diǎn)。③萃淋樹脂色層法。其具有生產(chǎn)周期短，純度高，收率高和成本低的特點(diǎn)。④液膜萃取法。高純納米氧化鎵它是膜分離與液液萃取相結(jié)合的一種新型分離技術(shù)。

氧化銦的合成方法有哪些？將高純金屬銦在空氣中燃燒或?qū)⑻妓徙熿褵蒊n2O、InO、In2O3，精細(xì)控制還原條件可制得高純In2O3。高純納米氧化鎵廠家也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時(shí)，溫度過高的話，In2O3有熱分解的可能性，若溫度過低則難以完全脫水，而且生成的氧化物具有吸濕性，因此，加熱溫度和時(shí)間是重要的因素。另外，因?yàn)镮n2O3容易被還原，所以必須經(jīng)常保持在氧化氣氛中。納米氧化鎵將氫氧化銦在空氣中，于850℃灼燒至恒重，生成In2O3，再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。