幾年來,科學(xué)家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵(ga2O3)。氧化鉍這種新型半導(dǎo)體的帶隙相對(duì)較大,為4.8電子伏,這意味著在電力電子領(lǐng)域,特別是在高電壓被轉(zhuǎn)換成低電壓的情況下,氧化鎵至少部分地可以超過當(dāng)前恒星的階段:硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。晉中高純氧化鉍廠家到目前為止,SiC是唯一一種不易產(chǎn)生明顯缺陷的基體,但外延生長(zhǎng)速度相對(duì)較慢。對(duì)于氮化鎵來說,仍然沒有有效的方法來生產(chǎn)大體積的合適的單晶。因此,它被沉積到像藍(lán)寶石或硅這樣的外來基板上,但它們的不同晶格常數(shù)導(dǎo)致了外延過程中的錯(cuò)位。
鎵可用于醫(yī)療診斷,例如使用枸櫞酸鎵(67Ga)來診斷肺癌和肝癌等。氧化鉍鎵的合金還可以應(yīng)用到醫(yī)療器件和醫(yī)用材料中,例如使用鎵合金作為牙齒填充材料,使用“銦鎵合金”制作體溫計(jì)等。鎵可用于醫(yī)療診斷,例如使用枸櫞酸鎵(67Ga)來診斷肺癌和肝癌等。氧化鉍廠家鎵的合金還可以應(yīng)用到醫(yī)療器件和醫(yī)用材料中,例如使用鎵合金作為牙齒填充材料,使用“銦鎵合金”制作體溫計(jì)等。
氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差,但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV),氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氧化鉍由于禁帶寬度可衡量使電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕,并且能應(yīng)對(duì)更高的功率,有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純氧化鉍廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作,從而減少對(duì)龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。
銦是一種很軟的、帶藍(lán)色色調(diào)的有銀白色金屬光澤的金屬。氧化鉍銦比鉛還軟,即使在液態(tài)氮的溫度下;用指甲可以輕易地留下劃痕,銦也能在和其他金屬摩擦的時(shí)候附著到其他金屬上去。氧化鉍廠家銦的揮發(fā)性比鋅和鎘的小,但在氫氣或真空中能夠升華。銦及其化合物對(duì)人體沒有明顯的危害,但應(yīng)避免它們和身體破傷的部位接觸。銦能形成+1、+2和+3價(jià)的化合物,其中主要為+3價(jià)的銦化合物,如In2O3、InCl3、InN等。銦粉主要用于太陽能電池導(dǎo)電漿,補(bǔ)牙材料,以及用作透明電極(ITO膜)、電子工業(yè)中焊料、低熔合金、高性能發(fā)動(dòng)機(jī)的軸承、低溫和真空領(lǐng)域作密封件等。
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