氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。醋酸銦同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。張家口醋酸銦β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。

用純Sc2O3≥ 99.9%加入于釓鎵石榴石(GGG)可制成釓鎵鈧石榴石(GGSG)，其構成為Gd3Sc2Ga3O12型式。醋酸銦由它做成的第三代激光器所發出的發射功率比同體積的激光器提高3.0倍，已達到了大功率化和小型化的激光裝置，提高了激光振蕩輸出功率，改進了激光器的使用性能。在制備單晶時，每爐料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料為1.0kg左右。醋酸銦價格目前這種激光器在軍工技術上的應用日益廣泛，也逐步推向民用工業。從發展看，今后在軍用和民用的潛力較大。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。醋酸銦氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優選材料。哪里有醋酸銦價格其也因此被業界看做是第三代半導體材料的代表。

鍺粉,常見的微米級鍺粉和亞納米鍺粉一般都是將金屬鍺錠通過物理破碎的方式加工而成的粉末。醋酸銦鍺粉具有金屬鍺同樣優秀的光學性能和半導體性能。鍺粉按加工設備分類有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨鍺粉能夠達到亞納米粒徑。哪里有醋酸銦儲粉主要用于治金、熒光粉,鍺粉還可以用于鍺半導體器件,如鍺二極管、品體三極管及復合晶體管、鍺半導體光電器件作光電鍺粉用于霍耳及壓阻效應的傳感器,作光電導效應的放射線檢測器等,廣泛用于彩電、電腦、電話及高頻設備中。