目前，我國金屬鎵的消費領(lǐng)域包含半導體和光電材料、太陽能電池、合金、醫(yī)療器械、磁性資料等，其中半導體行業(yè)已成為鎵最大的消費領(lǐng)域，約占總消費量的80%。鍺粉隨著鎵下游應(yīng)用行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是半導體和太陽能電池領(lǐng)域，未來對金屬鎵的需求也將穩(wěn)步增長。鎵的用途用來制作光學玻璃、真空管、半導體的原料。裝入石英溫度計可測量高溫。加入鋁中可制得易熱處理的合金。鎵和金的合金應(yīng)用在裝飾和鑲牙方面。鍺粉廠家也用來作有機合成的催化劑。鎵是銀白色 金屬 。密度5.904克/厘米3。熔點29.78℃。沸點2403℃。化合價2和3。第一電離能5.999電子伏特。凝固點很低。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關(guān)注。鍺粉我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導體元件（以下簡稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。呼和浩特鍺粉廠家其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長法”。

使金屬鎵在室溫或加熱的條件下與硫酸反應(yīng)即可得到硫酸鎵的水溶液。鍺粉或者將新制得的氫氧化鎵Ga(OH)3沉淀溶于2mol/L的硫酸溶液中也可制得硫酸鎵的水溶液。將這種硫酸鎵水溶液在60～70℃的溫度下進行濃縮，將所得的濃溶液冷卻，向其中加入乙醇/乙醚混合物，即可制得十八水硫酸鎵Ga2(SO4)3·18H2O的八面體結(jié)晶。呼和浩特鍺粉反應(yīng)中所用的氫氧化鎵沉淀可用向三價鎵鹽的水溶液加氨水制得。為了使生成的氫氧化鎵沉淀不致發(fā)生溶解，應(yīng)注意不要使氨水加入過量。為了易于過濾，在沉定過程中可適當加熱。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標。鍺粉同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。呼和浩特鍺粉β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

純的Sc2O3可用作彩色電視顯象管陰極電子槍的氧化陰極激活劑,效果較好。鍺粉在彩管陰極上端噴一層一毫米厚的Ba、Sr、Ca氧化層，上面再彌散一層0.1毫米厚的Sc2O3。在氧化層陰極中因Mg、Sr與Ba發(fā)生反應(yīng)，促使Ba還原,釋出的電子更活躍，發(fā)出大電流電子，使熒光體發(fā)光，比不用Sc2O3涂層的陰極可提高電流密度4倍，使電視畫面更清晰，使陰極壽命提高3倍。鍺粉廠家每臺21英寸顯像陰極用Sc2O3量為0.1mg。目前在世界上一些國家已用此陰極，如日本用的較多，可提高市場競爭力，促進電視機的銷量。

鍺粉,常見的微米級鍺粉和亞納米鍺粉一般都是將金屬鍺錠通過物理破碎的方式加工而成的粉末。鍺粉鍺粉具有金屬鍺同樣優(yōu)秀的光學性能和半導體性能。鍺粉按加工設(shè)備分類有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨鍺粉能夠達到亞納米粒徑。哪里有鍺粉儲粉主要用于治金、熒光粉,鍺粉還可以用于鍺半導體器件,如鍺二極管、品體三極管及復合晶體管、鍺半導體光電器件作光電鍺粉用于霍耳及壓阻效應(yīng)的傳感器,作光電導效應(yīng)的放射線檢測器等,廣泛用于彩電、電腦、電話及高頻設(shè)備中。