氧化鈧的化學式為Sc2O3。性質：白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結構。密度3.864.熔點2403℃±20℃。不溶于水，溶于熱酸中。納米氧化鎵由鈧鹽熱分解制得。可用作半導體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產品具有獨特的物化性質，故在20世紀80年代以來，在許多高新技術和工業部門中獲得了較好的應用發展。高純納米氧化鎵廠家目前我國及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領域的應用狀況敘述于后。

在新型電光源中的應用，如鈧-鈉素燈，該燈發出的光接近太陽光，具有光度高，光色好，節電能，壽命長，破霧能力強等。納米氧化鎵在激光中的應用，在GGG加入鈧后，制成GSGG，發射功率比同體積的其它激光器提高了三倍，并可達到大功率化和小型化的要求。在合金中的應用：在合金材科中主要用于合金的添加劑和改性劑，在鋁及鋁合金中加入鈧后，可有效提高合金的綜合性能。高純納米氧化鎵廠家如合金的強度、硬度、耐熱性、耐蝕性和焊接性等有明顯提高。在其它領域的應用：如在中子過濾材料中加入鈧后，在核燃料過濾時，可防止UO2發生相變，利于運行作業。如含鈧的陰極用于彩電顯像管內，使的電源密度提高4倍，陰極使用壽命增長3倍等。

三氧化二鉍純品有α型和β型。α型為黃色單斜晶系結晶，相對密度8.9，熔點825 ℃，溶于酸，不溶于水和堿。納米氧化鎵β型為亮黃色至橙色，正方晶系，相對密度8.55，熔點860 ℃，溶于酸，不溶于水。容易被氫氣、烴類等還原為金屬鉍。氧化鉍用于制備鉍鹽；用作電子陶瓷粉體材料、電解質材料、光電材料、高溫超導材料、催化劑。高純納米氧化鎵氧化鉍作為電子陶瓷粉體材料中的重要添加劑，純度一般要求在99.15%以上，主要應用對象有氧化鋅壓敏電阻、陶瓷電容、鐵氧體磁性材料三類；以及釉藥橡膠配合劑、醫藥、紅色玻璃配合劑等方面。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。納米氧化鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純納米氧化鎵廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

鈧是稀土元素的一種，是應用于諸多國防軍工及高科技領域的不可替代的戰略資源。納米氧化鎵金屬鈧粉在新材料領域中的應用，包括在鋁鈧合金、燃料電池、鈧鈉鹵燈、示蹤劑、激光晶體、特種鋼和有色合金中的作用，并分析了它們的具體應用領域。石家莊納米氧化鎵隨后分析了制約鈧規模化應用的因素，并簡要介紹了當前鈧資源的生產開發狀況。

氧化銦的合成方法有哪些？將高純金屬銦在空氣中燃燒或將碳酸銦煅燒生成In2O、InO、In2O3，精細控制還原條件可制得高純In2O3。高純納米氧化鎵廠家也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時，溫度過高的話，In2O3有熱分解的可能性，若溫度過低則難以完全脫水，而且生成的氧化物具有吸濕性，因此，加熱溫度和時間是重要的因素。另外，因為In2O3容易被還原，所以必須經常保持在氧化氣氛中。納米氧化鎵將氫氧化銦在空氣中，于850℃灼燒至恒重，生成In2O3，再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。