鍺是一種銀白色金屬，主要用于半導體工業，制造晶體管、二極管和電子高能原料，制造金屬增加合金硬度，還用于醫藥工業。金屬鎵鍺及其化合物屬低毒、鍺吸收排泄迅速，經肝腎從尿中排出，肝臟和腎臟僅有微量鍺。鶴崗金屬鎵動物實驗給二氧化鍺10ug/g飼料14周，未產生明顯毒性作用，相反可刺激動物生長，當給以1000ug/g的飼料則抑制動物生長，4周后有50%動物死亡，尸檢發現肺氣腫、肝腫大、腎小管變性和壞死。經過調查半導體工廠和鍺廠，目前尚未鍺及化合物引起職業中毒。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。金屬鎵特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。金屬鎵價格這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

薄膜均勻性的概念：1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位，約為100A)。高純金屬鎵價格真空鍍膜的均勻性已經相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內，也就是說對于薄膜的光學性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。金屬鎵但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現10A甚至1A的表面平整，是現在真空鍍膜中主要的技術含量與技術瓶頸所在，具體控制因素下面會根據不同鍍膜給出詳細解釋。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。金屬鎵這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。鶴崗高純金屬鎵價格到目前為止，SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。

鎵與銦、鉈、錫、鉍、鋅等可在3℃—65℃之間組成一系列低熔合金，用于溫度測控、儀表中的代汞物、珠定業作中支撐物、金屬涂層、電子工業及核工業的冷卻回路。金屬鎵含25%銦的鎵合金為低熔點合金，在16℃時便熔化，可用于自動滅火裝置中。高純金屬鎵鎵與銅、鎳、錫、金等可組成冷焊劑，適于難焊接的異型薄壁，金屬間及其與陶瓷間的冷焊接與空洞堵塞。

鎵的鹵化物具有較高的活性，可以用于聚合和脫水等工藝，例如使用三氯化鎵(GaCl3)作催化劑生產乙基苯、丙基苯和酮。金屬鎵而來自美國和丹麥科研人員開發的一種新的鎳-鎵催化劑，可以用來轉化氫和二氧化碳為甲醇。金屬鎵價格為了提高石油開采的經濟效益，包括中國在內的一些國家都在研究使用硝酸鎵的新型石油催化劑。