生產工藝技術及設備經過多年來的研究和生產實踐后,目前從含鈧原料中提取Sc2O3的工藝技術有下列幾種方法:①萃取法。金屬鈧粉生產中使用較多,其具有產量大、質量好、回收率高、成本低及生產中可連續作業的特點。②離子交換法。生產中也常被采用。其具有產量小,純度較高,收率較低,成本較高及生產周期長的特點。③萃淋樹脂色層法。其具有生產周期短,純度高,收率高和成本低的特點。④液膜萃取法。高純金屬鈧粉它是膜分離與液液萃取相結合的一種新型分離技術。
氧化鎵的導熱性能較差,但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV),氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。金屬鈧粉由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕,并且能應對更高的功率,有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純金屬鈧粉廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作,從而減少對龐大的冷卻系統的需求。
銦是一種很軟的、帶藍色色調的有銀白色金屬光澤的金屬。金屬鈧粉銦比鉛還軟,即使在液態氮的溫度下;用指甲可以輕易地留下劃痕,銦也能在和其他金屬摩擦的時候附著到其他金屬上去。金屬鈧粉廠家銦的揮發性比鋅和鎘的小,但在氫氣或真空中能夠升華。銦及其化合物對人體沒有明顯的危害,但應避免它們和身體破傷的部位接觸。銦能形成+1、+2和+3價的化合物,其中主要為+3價的銦化合物,如In2O3、InCl3、InN等。銦粉主要用于太陽能電池導電漿,補牙材料,以及用作透明電極(ITO膜)、電子工業中焊料、低熔合金、高性能發動機的軸承、低溫和真空領域作密封件等。
目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高,它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。金屬鈧粉特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面,會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體,禁帶寬度Eg=4.9eV,其導電性能和發光特性良好,因此,其在光電子器件方面有廣闊的應用前景,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。金屬鈧粉廠家這些是氧化鎵的傳統應用領域,而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。