氧化鎵的導熱性能較差,但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV),氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。鍺粉由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕,并且能應對更高的功率,有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純鍺粉粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作,從而減少對龐大的冷卻系統的需求。
金屬鎵是一種銀白色的稀有金屬。1875年,法國的布瓦博德朗在用光譜分析從閃鋅礦得到的提金屬鎵,鎵的發現不僅是一個化學元素的發現,它的發現引起了科學家們對門捷列夫擬定的元素周期系的注重,使化學元素周期系得到贊揚和供認。鍺粉我國金屬鎵的消費領域包括半導體和光電材料、太陽能電池、合金、醫療器械、磁性材料等,其中半導體行業已成為鎵最大的消費領域,約占總消費量的80%。鹽城高純鍺粉粉末隨著鎵下游應用行業的快速發展,尤其是半導體行業和太陽能電池行業,未來金屬鎵需求也將穩步增長。
目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高,它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。鍺粉特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面,會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體,禁帶寬度Eg=4.9eV,其導電性能和發光特性良好,因此,其在光電子器件方面有廣闊的應用前景,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。鍺粉粉末這些是氧化鎵的傳統應用領域,而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。
氟化鎵:白色結晶粉末。六方晶結構。鍺粉易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性,可以腐蝕玻璃、石英,晶體結構為離子晶體。物化性質:白色結晶粉末。六方晶結構。密度4.47g/cm3。熔點約1000℃。在氮氣流中約800℃下升華而不分解。微溶于水和烯酸中,能溶于氫氟酸中。由六氟鎵酸銨熱分解制取。三水合物易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性,可以腐蝕玻璃、石英。高純鍺粉粉末氟化鎵是一種無機化合物。這種白色固體的熔點超過1000°C,但是在950°C左右就會升華。它具有FeF3型結構,鎵原子為6配位。