極易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強烈吸濕。氧化鉍將金屬銦與鹽酸（滴入少量H2O2）反應，濃縮溶液時可得InCl3·4H2O，為無色結晶。56℃溶于自身的結晶水。在空氣中加熱將失去HCl，最終產(chǎn)物為In2O3而不能得無水的InCl3。無水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應制得；或用三氧化二銦（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反應，三氯化銦以純品升華出來。哪里有氧化鉍粉末三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長促進劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在，前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應制得，后者用三氯化銦與金屬銦反應制得。二者不穩(wěn)定，遇水分解。所以根據(jù)以上所述氧化銦是無毒的。

二氧化鍺為四方晶系、六方晶系或無定形體。氧化鉍六方結晶與β-石英同構，鍺為四配位，四方結晶具有超石英型結構，類似于金紅石，其中鍺為六配位。高壓下，無定形二氧化鍺轉變?yōu)榱湮唤Y構;隨著壓力降低，二氧化鍺也逐漸變?yōu)樗呐湮坏慕Y構。類金紅石型結構的二氧化鍺在高壓下可轉變?yōu)榱硪环N正交晶系氯化鈣型結構。哪里有氧化鉍二氧化鍺不溶于水和鹽酸，溶于堿液生成鍺酸鹽。 類金紅石型結構的二氧化鍺比六方二氧化鍺更易溶于水，它與水作用時可產(chǎn)生鍺酸。二氧化鍺與鍺粉在1000°C共熱時，可得到一氧化鍺。

對于濺射類鍍膜：可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。氧化鉍濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數(shù)之。寧波氧化鉍濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。氧化鉍氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。哪里有氧化鉍粉末其也因此被業(yè)界看做是第三代半導體材料的代表。

鎵的鹵化物具有較高的活性，可以用于聚合和脫水等工藝，例如使用三氯化鎵(GaCl3)作催化劑生產(chǎn)乙基苯、丙基苯和酮。氧化鉍而來自美國和丹麥科研人員開發(fā)的一種新的鎳-鎵催化劑，可以用來轉化氫和二氧化碳為甲醇。氧化鉍粉末為了提高石油開采的經(jīng)濟效益，包括中國在內(nèi)的一些國家都在研究使用硝酸鎵的新型石油催化劑。

目前，我國金屬鎵的消費領域包含半導體和光電材料、太陽能電池、合金、醫(yī)療器械、磁性資料等，其中半導體行業(yè)已成為鎵最大的消費領域，約占總消費量的80%。氧化鉍隨著鎵下游應用行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是半導體和太陽能電池領域，未來對金屬鎵的需求也將穩(wěn)步增長。鎵的用途用來制作光學玻璃、真空管、半導體的原料。裝入石英溫度計可測量高溫。加入鋁中可制得易熱處理的合金。鎵和金的合金應用在裝飾和鑲牙方面。氧化鉍粉末也用來作有機合成的催化劑。鎵是銀白色 金屬 。密度5.904克/厘米3。熔點29.78℃。沸點2403℃。化合價2和3。第一電離能5.999電子伏特。凝固點很低。