用純Sc2O3≥ 99.9%加入于釓鎵石榴石(GGG)可制成釓鎵鈧石榴石(GGSG)，其構成為Gd3Sc2Ga3O12型式。氧化鍺由它做成的第三代激光器所發出的發射功率比同體積的激光器提高3.0倍，已達到了大功率化和小型化的激光裝置，提高了激光振蕩輸出功率，改進了激光器的使用性能。在制備單晶時，每爐料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料為1.0kg左右。氧化鍺廠家目前這種激光器在軍工技術上的應用日益廣泛，也逐步推向民用工業。從發展看，今后在軍用和民用的潛力較大。

鎵的市場小，很容易受外界的影響，中鋁河南、遵義工廠的開工使鎵的供應增加，市場對后市供應可能會再度過剩的恐慌情緒對價格產生影響，造成鎵的價格難以維持平穩，鎵的進行價格調整期。氧化鍺需要指出的是，目前鎵的價格已經接近生產成本線，后續鎵的生產將進入虧本經營，鎵市場降價趨勢的過早來臨改變了本年度下游對市場的預期，2017年的最后一個多月，鎵市場將會進入煎熬的調整期。氧化鍺廠家下周鎵的市場預期仍不被看好，將穩中有降低。

氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應用。氧化鍺電阻式觸摸屏中經常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外，廣泛應用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統領域。高純氧化鍺廠家近年來大量應用于光電行業等高新技術領域和軍事領域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產平面液晶顯示器和除霧冰器。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氧化鍺由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純氧化鍺廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。