氧化鎵(β-Ga2O3)作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料,其禁帶寬度約為4.8 eV,理論擊穿場強為8 MV/cm,電子遷移率為300 cm2/Vs,因此β-Ga2O3具有4倍于GaN,10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。金屬鉍粉同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底,使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展,全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。呼和浩特金屬鉍粉β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下,導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失,因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。
三氧化二鉍純品有α型和β型。α型為黃色單斜晶系結晶,相對密度8.9,熔點825 ℃,溶于酸,不溶于水和堿。金屬鉍粉β型為亮黃色至橙色,正方晶系,相對密度8.55,熔點860 ℃,溶于酸,不溶于水。容易被氫氣、烴類等還原為金屬鉍。氧化鉍用于制備鉍鹽;用作電子陶瓷粉體材料、電解質材料、光電材料、高溫超導材料、催化劑。高純金屬鉍粉氧化鉍作為電子陶瓷粉體材料中的重要添加劑,純度一般要求在99.15%以上,主要應用對象有氧化鋅壓敏電阻、陶瓷電容、鐵氧體磁性材料三類;以及釉藥橡膠配合劑、醫藥、紅色玻璃配合劑等方面。
對于濺射類鍍膜:可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材,并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來,并且終沉積在基片表面,經歷成膜過程,終形成薄膜。金屬鉍粉濺射鍍膜又分為很多種,總體看,與蒸發鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數之。呼和浩特金屬鉍粉濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld,組分均勻性容易保持,而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射),晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例,因素主要有:靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。
鎵可用于醫療診斷,例如使用枸櫞酸鎵(67Ga)來診斷肺癌和肝癌等。金屬鉍粉鎵的合金還可以應用到醫療器件和醫用材料中,例如使用鎵合金作為牙齒填充材料,使用“銦鎵合金”制作體溫計等。鎵可用于醫療診斷,例如使用枸櫞酸鎵(67Ga)來診斷肺癌和肝癌等。金屬鉍粉廠家鎵的合金還可以應用到醫療器件和醫用材料中,例如使用鎵合金作為牙齒填充材料,使用“銦鎵合金”制作體溫計等。