氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。氧化鍺同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。太原氧化鍺β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。

金屬鈧比起釔和鑭系元素來，由于離子半徑特別小，氫氧化物的堿性也特別弱，因此，鈧和稀土元素混在一起時，用氨（或極稀的堿）處理，鈧將首先析出，故應用“分級沉淀”法可比較容易地把它從稀土元素中分離出來。氧化鍺另一種方法是利用硝酸鹽的分極分解進行分離，由于硝酸鈧容易分解，從而達到分離的目的。氧化鍺粉末用電解的方法可制得金屬鈧，在煉鈧時將ScCl3、KCl、LiCl共熔，以熔融的鋅為陰極電解之，使鈧在鋅極上析出，然后將鋅蒸去可得金屬鈧。

鎵也被應用到太陽能電池的制造中，如砷化鎵三五族太陽能電池，該電池具有良好的耐熱、耐輻射等特性，其光電轉換率非常高。氧化鍺最初因為生產、使用成本都非常高，常常被應用在航天和軍工領域。但近幾年隨著科技的發展，金屬鎵太陽能電池的生產和使用成本都在降低，搭配上聚光光學組件從而使其應用領域開始擴大，并且正在以較快的速度普及。CIGS薄膜太陽能電池是第三代太陽能電池，具有生產、安裝、使用成本低，光電轉換率高的優勢，因而在眾多太陽能電池產品中成為發展最快的一族。高純氧化鍺雖然世界上已投產或在建的CIGS工廠已超過40多家，但金屬鎵在CIGS的原材料中所占比重僅為5%—10%。隨著CIGS生產規模的擴大，該行業對金屬鎵的需求會有明顯增長。

銦是一種很軟的、帶藍色色調的有銀白色金屬光澤的金屬。氧化鍺銦比鉛還軟，即使在液態氮的溫度下；用指甲可以輕易地留下劃痕，銦也能在和其他金屬摩擦的時候附著到其他金屬上去。氧化鍺粉末銦的揮發性比鋅和鎘的小，但在氫氣或真空中能夠升華。銦及其化合物對人體沒有明顯的危害，但應避免它們和身體破傷的部位接觸。銦能形成+1、+2和+3價的化合物，其中主要為+3價的銦化合物，如In2O3、InCl3、InN等。銦粉主要用于太陽能電池導電漿，補牙材料，以及用作透明電極（ITO膜）、電子工業中焊料、低熔合金、高性能發動機的軸承、低溫和真空領域作密封件等。