鎵是一種低熔點高沸點的稀散金屬，有“電子工業脊梁”的美譽。氧化鍺鎵的化合物是優質的半導體材料，被廣泛應用到光電子工業和微波通信工業，用于制造微波通訊與微波集成、紅外光學與紅外探測器件、集成電路、發光二極管等。氧化鍺廠家例如我們在電腦上看到的紅光和綠光就是由磷化鎵二極管發出的。目前，半導體行業金屬鎵消費量約占總消費量的80%—85%。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氧化鍺這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。杭州求購氧化鍺廠家到目前為止，SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氧化鍺由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。求購氧化鍺廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

薄膜均勻性的概念：1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位，約為100A)。求購氧化鍺廠家真空鍍膜的均勻性已經相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內，也就是說對于薄膜的光學性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。氧化鍺但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現10A甚至1A的表面平整，是現在真空鍍膜中主要的技術含量與技術瓶頸所在，具體控制因素下面會根據不同鍍膜給出詳細解釋。

金屬鉍粉主要用于制造易熔合金，熔點范圍是47～262℃，最常用的是鉍同鉛、錫、銻、銦等金屬組成的合金，用于消防裝置、自動噴水器、鍋爐的安全塞，一旦發生火災時，一些水管的活塞會“自動”熔化，噴出水來。氧化鍺在消防和電氣工業上，用作自動滅火系統和電器保險絲、焊錫。鉍合金具有凝固時不收縮的特性，用于鑄造印刷鉛字和高精度鑄型。氧化鍺廠家碳酸氧鉍和硝酸氧鉍用于治療皮膚損傷和腸胃病。用于制低熔合金，在消防和電氣安全裝置上有特殊的重要性，在分析化學中用于檢測Mn。鉍可制低熔點合金，用于自動關閉器或活字合金中。