SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。金屬鎵我們一直在致力于利用氧化鎵(Ga2O3)的功率半導體元件(以下簡稱功率元件)的研發。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發的SiC和GaN相比,有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。雙鴨山金屬鎵廠家其原因在于材料特性出色,比如帶隙比SiC及GaN大,而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。
鎵可用于醫療診斷,例如使用枸櫞酸鎵(67Ga)來診斷肺癌和肝癌等。金屬鎵鎵的合金還可以應用到醫療器件和醫用材料中,例如使用鎵合金作為牙齒填充材料,使用“銦鎵合金”制作體溫計等。鎵可用于醫療診斷,例如使用枸櫞酸鎵(67Ga)來診斷肺癌和肝癌等。金屬鎵廠家鎵的合金還可以應用到醫療器件和醫用材料中,例如使用鎵合金作為牙齒填充材料,使用“銦鎵合金”制作體溫計等。
氫氧化銦屬于銦的延伸產品,為白色沉淀,加熱至低于150℃時失水,不溶于冷水、氨水,微溶于NaOH,在濃堿中生成M3[In(OH)6],溶于酸。制法:由銦鹽水溶液中加入氨水或氫氧化堿而得。雙鴨山金屬鎵用途:廣泛應用于顯示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化學試劑、低汞和無汞電池的添加劑,以及ITO靶材,如太陽能電池、液晶顯示材料、低汞和無汞堿性電池鋅的添加劑等。金屬鎵隨著電池無汞化的進程,用氫氧化銦取代汞做為電池的添加劑已成為今后電池業的發展趨勢。
氧化鍺,具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發展超過重要作用。金屬鎵鍺的熔密度5.32克/厘米3,鍺可能性劃歸稀散金屬,鍺化學性質穩定,常溫下不與空氣或水蒸汽作用,但在600~700℃時,很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時,鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中,鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱,但熔融的堿在空氣中,能使鍺迅速溶解。雙鴨山金屬鎵鍺與碳不起作用,所以在石墨坩堝中熔化,不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質,如電子遷移率、空穴遷移率等等。
氧化鎵的導熱性能較差,但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV),氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。金屬鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕,并且能應對更高的功率,有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純金屬鎵廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作,從而減少對龐大的冷卻系統的需求。