氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。氮化鎵同時(shí)通過(guò)熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。無(wú)錫氮化鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來(lái)越高，它們?cè)谖磥?lái)的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的作用。氮化鎵特別是在未來(lái)三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氮化鎵價(jià)格這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，而其在未來(lái)的功率、特別是大功率應(yīng)用場(chǎng)景才是更值得期待的。

在原子能工業(yè)中，鎵可以作為熱傳導(dǎo)物質(zhì)，將反應(yīng)堆中的熱量傳導(dǎo)出來(lái)。此外，鎵還可以吸收中子，從而達(dá)到控制中子數(shù)目和反應(yīng)速度的效果。氮化鎵碘化鎵應(yīng)用到高壓水銀燈鎵還可以用來(lái)制造陰極蒸汽燈。將碘化鎵加入到高壓水銀燈中，可以增大水銀燈的輻射強(qiáng)度。由于鎵具有“熱縮冷脹”性質(zhì)，所以具有較好的鑄造性，可以用來(lái)制造鉛字合金，使字體清晰。無(wú)錫氮化鎵鎵蒸汽壓很低，可以在真空裝置中做密封液。

鍺是一種銀白色金屬，主要用于半導(dǎo)體工業(yè)，制造晶體管、二極管和電子高能原料，制造金屬增加合金硬度，還用于醫(yī)藥工業(yè)。氮化鎵鍺及其化合物屬低毒、鍺吸收排泄迅速，經(jīng)肝腎從尿中排出，肝臟和腎臟僅有微量鍺。無(wú)錫氮化鎵動(dòng)物實(shí)驗(yàn)給二氧化鍺10ug/g飼料14周，未產(chǎn)生明顯毒性作用，相反可刺激動(dòng)物生長(zhǎng)，當(dāng)給以1000ug/g的飼料則抑制動(dòng)物生長(zhǎng)，4周后有50%動(dòng)物死亡，尸檢發(fā)現(xiàn)肺氣腫、肝腫大、腎小管變性和壞死。經(jīng)過(guò)調(diào)查半導(dǎo)體工廠和鍺廠，目前尚未鍺及化合物引起職業(yè)中毒。

金屬之間有生成合金的趨向。合金便是不同金屬間的互溶現(xiàn)象。氮化鎵一般金屬間構(gòu)成合金需求很高的溫度。但有些金屬間并非需求高溫，例如水 銀在常溫下就能夠與多種金屬構(gòu)成合金。鎵也有這種功用，由于家的熔點(diǎn)很低，在30攝氏度就成為了液態(tài)，這種液態(tài)的鎵就能夠與其他金屬生成合金，也便是對(duì)其他金屬有溶解的效果，對(duì)其他金屬形成腐蝕。氮化鎵價(jià)格所以鎵不能裝在金屬容器中。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。氮化鎵我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導(dǎo)體元件（以下簡(jiǎn)稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導(dǎo)體材料推進(jìn)開(kāi)發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。無(wú)錫氮化鎵價(jià)格其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長(zhǎng)法”。