氧化鍺,具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發展超過重要作用。氧化鎵鍺的熔密度5.32克/厘米3,鍺可能性劃歸稀散金屬,鍺化學性質穩定,常溫下不與空氣或水蒸汽作用,但在600~700℃時,很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時,鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中,鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱,但熔融的堿在空氣中,能使鍺迅速溶解。阜新氧化鎵鍺與碳不起作用,所以在石墨坩堝中熔化,不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質,如電子遷移率、空穴遷移率等等。
氧化銦的合成方法有哪些?將高純金屬銦在空氣中燃燒或將碳酸銦煅燒生成In2O、InO、In2O3,精細控制還原條件可制得高純In2O3。求購氧化鎵廠家也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時,溫度過高的話,In2O3有熱分解的可能性,若溫度過低則難以完全脫水,而且生成的氧化物具有吸濕性,因此,加熱溫度和時間是重要的因素。另外,因為In2O3容易被還原,所以必須經常保持在氧化氣氛中。氧化鎵將氫氧化銦在空氣中,于850℃灼燒至恒重,生成In2O3,再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。
對于濺射類鍍膜:可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材,并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來,并且終沉積在基片表面,經歷成膜過程,終形成薄膜。氧化鎵濺射鍍膜又分為很多種,總體看,與蒸發鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數之。阜新氧化鎵濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld,組分均勻性容易保持,而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射),晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例,因素主要有:靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。
目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高,它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。氧化鎵特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面,會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體,禁帶寬度Eg=4.9eV,其導電性能和發光特性良好,因此,其在光電子器件方面有廣闊的應用前景,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。氧化鎵廠家這些是氧化鎵的傳統應用領域,而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。
金屬之間有生成合金的趨向。合金便是不同金屬間的互溶現象。氧化鎵一般金屬間構成合金需求很高的溫度。但有些金屬間并非需求高溫,例如水 銀在常溫下就能夠與多種金屬構成合金。鎵也有這種功用,由于家的熔點很低,在30攝氏度就成為了液態,這種液態的鎵就能夠與其他金屬生成合金,也便是對其他金屬有溶解的效果,對其他金屬形成腐蝕。氧化鎵廠家所以鎵不能裝在金屬容器中。