氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氮化鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。哪里有氮化鎵粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

金屬鎵是一種銀白色的稀有金屬。1875年，法國的布瓦博德朗在用光譜分析從閃鋅礦得到的提金屬鎵，鎵的發現不僅是一個化學元素的發現，它的發現引起了科學家們對門捷列夫擬定的元素周期系的注重，使化學元素周期系得到贊揚和供認。氮化鎵我國金屬鎵的消費領域包括半導體和光電材料、太陽能電池、合金、醫療器械、磁性材料等，其中半導體行業已成為鎵最大的消費領域，約占總消費量的80%。阜新哪里有氮化鎵粉末隨著鎵下游應用行業的快速發展，尤其是半導體行業和太陽能電池行業，未來金屬鎵需求也將穩步增長。

氧化鍺，具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發展超過重要作用。氮化鎵鍺的熔密度5.32克/厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質穩定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。阜新氮化鎵鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等等。

對于濺射類鍍膜：可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。氮化鎵濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數之。阜新氮化鎵濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。

在新型電光源中的應用，如鈧-鈉素燈，該燈發出的光接近太陽光，具有光度高，光色好，節電能，壽命長，破霧能力強等。氮化鎵在激光中的應用，在GGG加入鈧后，制成GSGG，發射功率比同體積的其它激光器提高了三倍，并可達到大功率化和小型化的要求。在合金中的應用：在合金材科中主要用于合金的添加劑和改性劑，在鋁及鋁合金中加入鈧后，可有效提高合金的綜合性能。哪里有氮化鎵粉末如合金的強度、硬度、耐熱性、耐蝕性和焊接性等有明顯提高。在其它領域的應用：如在中子過濾材料中加入鈧后，在核燃料過濾時，可防止UO2發生相變，利于運行作業。如含鈧的陰極用于彩電顯像管內，使的電源密度提高4倍，陰極使用壽命增長3倍等。