幾年來,科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵(ga2O3)。醋酸銦這種新型半導體的帶隙相對較大,為4.8電子伏,這意味著在電力電子領域,特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下,氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段:硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。浙江高純醋酸銦廠家到目前為止,SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體,但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說,仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此,它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上,但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。
氟化鎵:白色結晶粉末。六方晶結構。醋酸銦易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性,可以腐蝕玻璃、石英,晶體結構為離子晶體。物化性質:白色結晶粉末。六方晶結構。密度4.47g/cm3。熔點約1000℃。在氮氣流中約800℃下升華而不分解。微溶于水和烯酸中,能溶于氫氟酸中。由六氟鎵酸銨熱分解制取。三水合物易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性,可以腐蝕玻璃、石英。高純醋酸銦廠家氟化鎵是一種無機化合物。這種白色固體的熔點超過1000°C,但是在950°C左右就會升華。它具有FeF3型結構,鎵原子為6配位。
SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。醋酸銦我們一直在致力于利用氧化鎵(Ga2O3)的功率半導體元件(以下簡稱功率元件)的研發。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發的SiC和GaN相比,有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。浙江醋酸銦廠家其原因在于材料特性出色,比如帶隙比SiC及GaN大,而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。
氧化鈧的化學式為Sc2O3。性質:白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結構。密度3.864.熔點2403℃±20℃。不溶于水,溶于熱酸中。醋酸銦由鈧鹽熱分解制得。可用作半導體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產品具有獨特的物化性質,故在20世紀80年代以來,在許多高新技術和工業部門中獲得了較好的應用發展。高純醋酸銦廠家目前我國及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領域的應用狀況敘述于后。